[发明专利]掩膜剂及带有纳米级图形的衬底的制备方法

权利要求书

1.一种掩膜剂，其特征在于，所述掩膜剂按体积份包括以下原料：10~30份的具有掩膜功能的纳米级颗粒、20~60份的溶剂，以及0.06~0.2份的活化剂。

2.根据权利要求1所述的掩膜剂，其特征在于，所述纳米级颗粒为球形纳米级颗粒，优选的，所述纳米级颗粒为直径0.2μm～0.8μm的纳米有机颗粒、纳米二氧化硅颗粒或纳米金属颗粒。

3.根据权利要求1或2所述的掩膜剂，其特征在于，所述活化剂为Triton X-100表面离子活性剂、聚丙二醇的环氧乙烷加成物或高碳脂肪醇聚氧乙烯醚。

4.根据权利要求1或2所述的掩膜剂，其特征在于，所述溶剂为甲醇或乙醇。

5.一种带有纳米级图形的衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、按比例配置权利要求1至4中任一项所述的掩膜剂；

S2、在衬底上涂布所述掩膜剂，形成纳米颗粒掩膜层；

S3、依据所述纳米颗粒掩膜层的图案刻蚀所述衬底，将所述纳米颗粒掩膜层中纳米颗粒结构转移至所述衬底上；

S4、清除经步骤S3刻蚀后获取的所述衬底的表面杂质得到具有纳米颗粒结构的衬底。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述步骤S2中涂布掩膜剂的过程采用旋转涂布的方式，旋转涂布过程中旋转转速为100rmp～5000rmp。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述步骤S3中刻蚀所述纳米颗粒掩膜层的步骤采用反应离子刻蚀机或感应耦合等离子体刻蚀机进行干法刻蚀，所使用的刻蚀气体为BCl₃、Cl₂和/或Ar。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述步骤S4中采用超声状态的溶液清洗所述衬底。

9.根据权利要求5至8中任一项所述的方法，其特征在于，所述步骤S1中所述纳米颗粒掩膜层的厚度为0.2μm～1μm；所述步骤S2刻蚀后在衬底上形成厚度为0.2μm～1μm的纳米图形层。

10.根据权利要求5至8中任一项所述的方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石、硅、碳化硅、砷化镓、氧化锌或氮化镓中一种或几种的复合衬底。