[发明专利]蓝宝石图形衬底及其制备方法和发光二极管的制造方法

权利要求书

1.一种蓝宝石图形衬底的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括以下步骤：

1）提供一蓝宝石衬底，于所述蓝宝石衬底表面制作周期为3.9~4.1μm、间距为0.9~1.1μm、直径为2.9~3.1μm、高度为2.1~2.8μm的圆柱体光刻胶图形；

2）采用感应耦合等离子体刻蚀法刻蚀所述蓝宝石衬底，形成周期为3.9~4.1μm、图形间距为0.2~0.4μm、底宽为3.6~3.8μm、高度为1.9~2.3μm的圆锥体凸起图形。

2.根据权利要求1所述的蓝宝石图形衬底的制备方法，其特征在于：步骤1）中，于所述蓝宝石衬底表面制作周期为4μm、间距为1μm、直径为3μm、高度为2.3~2.6μm的圆柱体光刻胶图形。

3.根据权利要求2所述的蓝宝石图形衬底的制备方法，其特征在于：步骤2）中，形成周期为4μm、图形间距为0.3μm、底宽为3.7μm、高度为2.1μm的圆锥体凸起图形。

4.一种蓝宝石图形衬底，其特征在于：表面具有周期为3.9~4.1μm、图形间距为0.2~0.4μm、底宽为3.6~3.8μm、高度为1.9~2.3μm的圆锥体凸起图形。

5.根据权利要求4所述的蓝宝石图形衬底，其特征在于：表面具有周期为4μm、图形间距为0.3μm、底宽为3.7μm、高度为2.1μm的圆锥体凸起图形。

6.一种发光二极管的制造方法，其特征在于，所述制造方法至少包括以下步骤：

1）提供一蓝宝石衬底，于所述蓝宝石衬底表面制作周期为3.9~4.1μm、间距为0.9~1.1μm、直径为2.9~3.1μm、高度为2.1~2.8μm的圆柱体光刻胶图形；

2）采用感应耦合等离子体刻蚀法刻蚀所述蓝宝石衬底，形成周期为3.9~4.1μm、图形间距为0.2~0.4μm、底宽为3.6~3.8μm、高度为1.9~2.3μm的圆锥体凸起图形；

3）于所述蓝宝石衬底表面形成至少包括N型层、量子阱层及P型层的发光外延结构；

4）制作光刻图形，并刻蚀所述P型层、量子阱层及部分的N型层形成N电极制备区域；

5）于所述P型层表面形成透明导电层，于该透明导电层表面制作P电极，并于所述N电极制备区域制备N电极。

7.根据权利要求6所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：步骤1）中，于所述蓝宝石衬底表面制作周期为4μm、直径为3μm、间距为1μm、高度为2.3~2.6μm的圆柱体光刻胶图形。

8.根据权利要求7所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：步骤2）中，形成周期为4μm、底宽为3.7μm、图形间距为0.3μm、高度为2.1μm的圆锥体凸起图形。

9.根据权利要求6所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述N型层为N-GaN层，所述量子阱层为InGaN多量子阱层，所述P型层为P-GaN层。

10.根据权利要求6所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：步骤5）后还包括对所述蓝宝石衬底进行减薄的步骤。