[发明专利]针对SiC材质实现大尺度、高深宽比三维结构加工方法

权利要求书

1.一种针对高硬度材质SiC大尺度、高深宽比三维结构的加工方法，其特征是该方法包括如下工艺步骤：

一、利用易加工的硅材料先进行大尺度、高深宽比三维结构构架加工；

二、在硅基上异质生长SiC材料；

三、将硅腐蚀掉，最后形成SiC大尺度、高深宽比三维结构构架。

2.根据权利要求1所述的一种针对高硬度材质SiC大尺度、高深宽比三维结构的加工方法，其特征是所述的利用易加工的硅材料先进行大尺度、高深宽比三维结构构架加工，如DRIE、RIE干法刻蚀技术和KOH、TMAH湿法腐蚀技术，实现的硅三维结构。

3.根据权利要求1所述的一种针对高硬度材质SiC大尺度、高深宽比三维结构的加工方法，其特征是所述的将硅腐蚀掉，利用DRIE、RIE干法刻蚀技术和KOH、TMAH湿法腐蚀技术，将材料彻底去除。

4.据权利要求1所述的一种针对高硬度材质SiC大尺度、高深宽比三维结构的加工方法，其特征是所述的在硅基上异质生长SiC材料，利用异质外延的保形特性，在硅三维结构上实现SiC三维结构。

5.根据权利要求1所述的针一种针对高硬度材质SiC大尺度、高深宽比三维结构的加工方法，其特征是所述易加工的材料还可以是GaN、金刚石、蓝宝石材料。

6.根据权利要求1所述的一种针对高硬度材质SiC大尺度、高深宽比三维结构的加工方法，其特征是加工出的大尺度、高深宽比三维结构构架通过微组装能形成具备耐高温耐高压的多种微系统装置，如，微推力器阵列、高温压力传感器、高温谐振器。