[发明专利]穿隧磁阻参考单元及其磁场感测电路有效
申请号: | 201210517405.3 | 申请日: | 2012-12-05 |
公开(公告)号: | CN103197265A | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
发明(设计)人: | 王泳弘;黄胜煌;沈桂弘;郭耿铭 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 磁阻 参考 单元 及其 磁场 电路 | ||
1.一种用于磁场感测的穿隧磁阻参考单元,包括:第一磁性穿隧接面MTJ装置,包括:
第一固定层,具有在固定方向的第一固定磁矩;以及
第一自由层,具有在零磁场时与该固定方向平行的第一自由磁矩;以及
第二磁性穿隧接面MTJ装置,包括:
第二固定层,具有在该固定方向的第二固定磁矩;以及
第二自由层,具有在零磁场时与该固定方向反平行的第二自由磁矩;
其中该第一及第二MTJ装置为并联。
2.如权利要求1所述的用于磁场感测的穿隧磁阻参考单元,其中该第一及该第二MTJ装置的长轴方向与所感测的外部磁场方向的夹角为45度。
3.如权利要求1所述的用于磁场感测的穿隧磁阻参考单元,其中该第一及该第二固定磁矩沿着同方向。
4.如权利要求2所述的用于磁场感测的穿隧磁阻参考单元,其中该第一及该第二固定磁矩沿着该第一及第二MTJ装置的所述长轴。
5.如权利要求1所述的用于磁场感测的穿隧磁阻参考单元,其中还包括导线,有两线段设置在该第一及第二MTJ装置的上方或下方,其中该导线的该两线段与该第一及第二MTJ装置的该固定磁矩及该自由磁矩垂直。
6.一种磁场感测电路,包括:
如权利要求1所述的一穿隧磁阻TMR参考单元,作为零磁场参考,具有第一电导,对外部磁场没有反应;
磁场感测单元,包括第三磁性穿隧接面MTJ装置与第四磁性穿隧接面MTJ装置并联,具有第二电导对该外部磁场有反应,其中感测电流反应该外部磁场,而流通于该磁场感测单元中;
电流镜,输出第一电流及第二电流到该TMR参考单元以及该磁场感测单元,其中该第一电流与该第二电流相等;以及
信号转换放大器单元,连接到该磁场检测单元,当感测该外部磁场时,产生反应该磁场检测单元的电导变化的转换电流,其中该转换电流等于该感测电流减去该第二电流。
7.如权利要求6所述的磁场感测电路,其中该磁场感测单元的易轴与该TMR参考单元的易轴呈45度角;
该第三及该第四MTJ装置的固定磁矩与该磁场感测单元的该易轴呈45度角,以及该第三及该第四MTJ装置的自由磁矩与该磁场感测单元的该易轴平行;
该第一MTJ装置及该第二MTJ装置的该固定磁矩与该TMR参考单元的该易轴平行,以及该第一MTJ装置的该自由磁矩与该第一MTJ装置的该固定磁矩为反平行;以及该第二MTJ装置的该自由磁矩与该第二MTJ装置的该固定磁矩平行。
8.如权利要求7所述的磁场感测电路,其中该第一及该第二MTJ装置的该固定磁矩分别与该第三及该第四MTJ装置的该固定磁矩平行,该第一及该第二MTJ装置的该自由磁矩分别与该第三及该第四MTJ装置的该自由磁矩呈45度角;以及,该感测电流的路径与该第一及第二MTJ装置的该固定磁矩及该自由磁矩垂直。
9.如权利要求6所述的磁场感测电路,其中该磁场感测单元的易轴与该TMR参考单元的易轴呈45度角;
该第三及第四MTJ装置的固定磁矩与该磁场检测单元的该易轴呈45度角及自由磁矩与该磁场检测单元的该易轴平行;
该第一及第二MTJ装置的该固定磁矩与该第一及第二MTJ装置的该易轴平行,该第一MTJ装置的该自由磁矩与该第一MTJ装置的该固定磁矩平行,该第二MTJ装置的该自由磁矩与该第二MTJ装置的该固定磁矩反平行。
10.如权利要求9所述的磁场感测电路,其中该第一及第二MTJ装置的该固定磁矩分别与该第三及该第四MTJ装置的该固定磁矩平行,该第一及该第二MTJ装置的该自由磁矩分别与该第三及该第四MTJ装置的该自由磁矩呈45度角;以及
该感测电流的路径与该第一及第二MTJ装置的所述固定磁矩与所述自由磁矩垂直。
11.如权利要求6所述的磁场感测电路,其中该磁场感测单元还包括第五及第六MTJ装置与该第三及该第四MTJ装置并联;其中该第三到该第六MTJ装置的固定磁矩与易轴呈45度角及自由磁矩与该易轴平行。
12.如权利要求11所述的磁场感测电路,其中该参考TMR单元还包括第七及第八MTJ装置与所述第一及该第二MTJ装置并联;其中
该第一及该第七MTJ装置及该第二及该第八MTJ分别装置分别设置在两个斜面上;
该第一,该第二,该第七,及该第八MTJ装置的固定磁矩与该易轴呈45度角且该自由磁矩与该易轴平行;
该第一及该第七MTJ装置的该自由磁矩与该第一及该第七MTJ装置的该固定磁矩反平行;
该第二及该第八MTJ装置的该自由磁矩与该第一及该第七MTJ装置的该固定磁矩平行;
该第一及该第二MTJ装置的该固定磁矩与该第三及该第四MTJ装置的该固定磁矩平行;
该第七及该第八MTJ装置的该固定磁矩与该第五及该第六MTJ装置的该固定磁矩垂直;
该第一,该第二,该第七,及该第八MTJ装置分别与该第三到该第六MTJ装置的该自由磁矩呈45度角;以及
该感测电流的路径与该TMR参考单元上的该第一、该第二、该第七、及该第八MTJ装置的所述固定磁矩及所述自由磁矩垂直。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于财团法人工业技术研究院,未经财团法人工业技术研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210517405.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:耐脱妆化妆品及其制备方法
- 下一篇:一种出行时用的跟踪装置及其跟踪方法