[发明专利]具有薄栅极氧化层和低栅极电荷的集成MOS功率晶体管

权利要求书

1.一种功率晶体管，包括：

a.掺杂的衬底，其包括在第一掺杂区域内的源极和沟道区域、在第二掺杂区域内的漏极、桥、第一过渡区域和第二过渡区域、以及在所述第二掺杂区域内的沟槽，其中所述沟槽形成在所述衬底的第一表面中，并且所述沟槽填充有绝缘材料，此外，其中所述沟道区域位于所述源极与所述第一过渡区域之间，所述第一过渡区域位于所述沟道区域与所述桥之间，所述桥位于所述第一过渡区域与所述第二过渡区域之间，所述第二过渡区域位于所述桥与所述沟槽之间，并且所述沟槽位于所述第二过渡区域与所述漏极之间；

b.栅极氧化层，其位于所述衬底的所述第一表面上；

c.栅极，其位于所述栅极氧化层上和位于所述沟道区域和所述第一过渡区域之上；以及

d.场板，其位于所述栅极氧化层上和位于所述沟槽的一部分和所述第二过渡区域之上，其中所述栅极通过位于所述桥之上的间隙与所述场板分开，此外，其中所述场板经由导电迹线电耦合到所述源极，

其中所述桥包括沿着所述间隙的长度的多个不连续的区段，每个区段在所述间隙的宽度上是连续的，并且每个区段沿着所述间隙的长度与相邻的区段分开，并且其中所述不连续的区段中的每一个区段彼此共面，并且所述不连续的区段中的每一个区段被设置为直接与所述第一表面相邻。

2.如权利要求1所述的功率晶体管，其中所述栅极和所述场板包括多晶硅。

3.如权利要求1所述的功率晶体管，其中所述第一掺杂区域是P型区域，而所述第二掺杂区域是N型区域。

4.如权利要求3所述的功率晶体管，其中所述桥包括P型区域。

5.如权利要求4所述的功率晶体管，其中所述桥包括轻掺杂P型注入物。

6.如权利要求4所述的功率晶体管，其中所述桥还包括被定位成在所述桥内的所述P型区域与N型的所述第一过渡区域和N型的所述第二过渡区域之间的halo的N型区域。

7.如权利要求6所述的功率晶体管，其中所述桥内的所述N型区域包括轻掺杂N型注入物。

8.如权利要求6所述的功率晶体管，其中所述桥在所述间隙的宽度上是连续的，并且所述桥沿着所述间隙的长度是连续的。

9.如权利要求4所述的功率晶体管，其中所述桥在所述间隙的宽度上是连续的，并且所述桥沿着所述间隙的长度是连续的。

10.如权利要求9所述的功率晶体管，其中所述桥还包括沿着所述间隙的长度的多个不连续的N型区域，每个不连续的N型区段被定位成在所述桥内的所述P型区域的一部分与N型的所述第一过渡区域和N型的所述第二过渡区域之间的halo。

11.如权利要求4所述的功率晶体管，其中所述桥的一个或多个区段还包括被定位成在所述桥的所述区段内的所述P型区域与N型的所述第一过渡区域和N型的所述第二过渡区域之间的halo的N型区域。

12.如权利要求1所述的功率晶体管，其中所述功率晶体管包括横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管。

13.如权利要求1所述的功率晶体管，其中所述掺杂的衬底还包括在所述第二掺杂区域内的漂移区域，其中所述漂移区域位于所述沟槽的下方。

14.如权利要求1所述的功率晶体管，还包括耦合到所述漏极的导电漏极端子和耦合到所述源极的导电源极端子，其中所述源极端子经由所述导电迹线耦合到所述场板。

15.如权利要求1所述的功率晶体管，其中所述衬底包括硅衬底。

16.如权利要求1所述的功率晶体管，其中所述源极包括双扩散区域。