[发明专利]选择性发射极晶体硅太阳能电池的制作方法无效
| 申请号： | 201210518052.9 | 申请日： | 2012-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN102983221A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 马红娜;杨伟光;王海亮;张红妹 | 申请（专利权）人： | 英利能源（中国）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 选择性 发射极 晶体 太阳能电池 制作方法 | ||
1.一种选择性发射极晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括硅片表面清洁，制绒，扩散制作浅p-n结，制作减反射膜层以及印刷正电极、背电极并烧结的步骤，所述印刷正电极的步骤中采用含磷的银浆进行印刷。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述扩散制作浅p-n结步骤中扩散方阻为85～110ohm/sq。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述正电极印刷步骤中所述银浆中的银的固含量为70%～95%。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述正电极印刷步骤中所述银浆中的磷含量为2%～10%。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述扩散制作p-n结步骤后还包括去除所述硅片周边p-n的步骤。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述扩散制作p-n结步骤后还包括去除所述硅片表面硅磷玻璃的步骤。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述硅片表面硅磷玻璃的步骤之后还包括用高纯去离子水进行清洗喷淋的步骤。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用等离子增强化学气象沉积制备所述减反射膜层。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用丝网印刷制备所述正电极和所述背电极。
10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述烧结步骤中的烧结温度为750℃～980℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
