[发明专利]形成嵌入式存储器件的方法

权利要求书

1.一种形成存储器件的方法，所述方法包括：

接收晶圆衬底；

在所述晶圆衬底上形成多晶硅堆叠图案，其中，所述多晶硅堆叠图案包括沉积在所述晶圆衬底上方的界面层、沉积在所述界面层上方的高k介电层、沉积在所述高k介电层上方的金属氮化物层、沉积在所述金属氮化物层上方的多晶硅层和沉积在所述多晶硅层上方的硬掩模层；

执行离子注入工艺，以在所述晶圆衬底中形成源极和漏极；

在所述源极上方的所述多晶硅堆叠图案中形成存储器栅极，其中，形成所述存储器栅极包括：通过去除存储器栅极区域中的所述多晶硅层、所述金属氮化物层和所述高k介电层来在所述多晶硅堆叠图案中形成所述存储器栅极区域，在所述界面层上方沉积氮化物层、在所述氮化物层上方沉积氧化物层以及在所述氧化物层上方沉积存储器栅极层；以及

在所述漏极上方的所述多晶硅堆叠图案中形成控制栅极。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在形成所述源极和所述漏极之后去除所述硬掩模层。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：执行化学机械抛光(CMP)工艺，以去除所述存储器栅极区域之外的所述存储器栅极层、所述氧化物层和所述氮化物层，从而将所述存储器栅极形成在所述存储器栅极区域中。

4.根据权利要求3所述的方法，进一步包括：执行存储器栅极凹部蚀刻工艺，以将所述存储器栅极埋置在所述存储器栅极区域中的所述氧化物层内。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述控制栅极包括：去除位于控制栅极区域中的所述多晶硅层，以及在所述控制栅极区域中的所述界面层上方沉积所述控制栅极层。

6.一种形成存储器件的方法，所述方法包括：

接收晶圆衬底；

在所述晶圆衬底上形成多晶硅堆叠图案，其中，所述多晶硅堆叠图案包括沉积在所述晶圆衬底上方的界面层、沉积在所述界面层上方的多晶硅层和沉积在所述多晶硅层上方的硬掩模层；

执行离子注入工艺，以在所述晶圆衬底中形成源极和漏极；

在所述源极上方的所述多晶硅堆叠图案中形成存储器栅极，其中，形成所述存储器栅极包括：通过去除存储器栅极区域中的所述多晶硅层来在所述多晶硅堆叠图案中形成所述存储器栅极区域，在所述界面层上方沉积氮化物层，在所述氮化物层上方沉积氧化物层，在所述存储器栅极区域中的所述氧化物层上方沉积存储器栅极材料；以及

在所述漏极上方的所述多晶硅堆叠图案中形成控制栅极。

7.根据权利要求6所述的方法，进一步包括：在形成所述源极和所述漏极之后去除所述硬掩模层。

8.根据权利要求6所述的方法，进一步包括：执行化学机械抛光(CMP)工艺来去除所述存储器栅极区域之外的所述存储器栅极材料、所述氧化物层和所述氮化物层，从而在所述存储器栅极区域中形成所述存储器栅极。

9.根据权利要求6所述的方法，进一步包括：执行存储器栅极凹部蚀刻工艺，以将所述存储器栅极埋置在所述存储器栅极区域中的所述氧化物层内。

10.根据权利要求6所述的方法，其中，形成所述控制栅极包括：去除所述控制栅极区域中的所述多晶硅层，在所述界面层上方沉积高k介电层，在所述高k介电层上方沉积金属氮化物层，以及在所述控制栅极区域中的所述金属氮化物层上方沉积控制栅极材料。

11.一种存储器结构，所述存储器结构包括：

晶圆衬底；

源极，形成在所述晶圆衬底中；

漏极，形成在所述晶圆衬底中，以及

多晶硅堆叠图案，所述多晶硅堆叠图案的一端位于所述源极上方，另一端位于所述漏极上方，其中，所述多晶硅堆叠图案包括被配置成形成在所述源极上方的存储器栅极和被配置成形成在所述漏极上方的控制栅极；

其中，所述存储器栅极通过沉积在所述晶圆衬底上方的界面层、沉积所述界面层上方的氮化物层和沉积在所述氮化物层上方的氧化物层与所述晶圆衬底分隔开。

12.根据权利要求11所述的结构，其中，所述存储器栅极形成在所述氧化物层上方。

13.根据权利要求12所述的结构，进一步包括：埋置在所述氧化物层内的所述存储器栅极。