[发明专利]大面积薄型单晶硅的制作技术

权利要求书

1.一种薄型单晶硅制作技术，其特征在于包含:

(1)提供单一种材料基板;

(2)制作设计过的图案化金属阻挡层在该基板上，而定义出该基板上的蚀刻区域;

(3)沉积或附着金属催化剂在该基板上;

(4)将该基板浸入第一蚀刻溶液中进行纵向蚀刻而形成微米结构或纳米结构;

(5)将该基板浸入第二蚀刻溶液中进行侧向蚀刻而侵蚀该微米结构或纳米结构的底部，使得该微米结构或纳米结构的底部与该基板分离;

(6)将该微米结构或纳米结构由该基板上转移;以及

(7)处理该基板表面使其再制作微米结构或纳米结构在其上。

2.根据权利要求1所述的薄型单晶硅制作技术，其特征在于其中在该步骤(7)后，重复上述(1)-(7)以回收的基板重复进行微米结构或纳米结构的制作。

3.根据权利要求1所述的薄型单晶硅制作技术，其特征在于其中该基板为硅晶圆或硅基板。

4.根据权利要求1所述的薄型单晶硅制作技术，其特征在于其中该金属催化剂选自由金、银、铂、铜、铁、锰、与钴作为氧化还原媒介的金属所组成的群组。

5.根据权利要求1所述的薄型单晶硅制作技术，其特征在于其中步骤(3)是以无电极式金属沉积法、溅镀、电子束蒸镀法或热蒸镀法将金属催化剂沉积或附着于该基板上。

6.根据权利要求5所述的薄型单晶硅制作技术，其特征在于其中该无电极式金属沉积法所使用的溶液选自由氢氟酸/四氯金酸钾水溶液、氢氟酸/硝酸银水溶液、氢氟酸/六氯铂酸钾水溶液、氢氟酸/硝酸铜水溶液、氢氟酸/硝酸铁水溶液、氢氟酸/硝酸锰水溶液、及氢氟酸/硝酸钴水溶液所组成的群组。

7.根据权利要求1所述的薄型单晶硅制作技术，其特征在于其中该金属阻挡层为光致抗蚀剂、有机高分子、氧化硅或氮化硅。

8.根据权利要求1所述的薄型单晶硅制作技术，其特征在于其中步骤(2)定义出该基板上的蚀刻区域，是以光学光刻、电子束光刻、微米球或纳米球排列、或压印，而定义出该基板上的蚀刻区域。

9.根据权利要求1所述的薄型单晶硅制作技术，其特征在于其中该第一蚀刻溶液为氢氟酸/双氧水水溶液。

10.根据权利要求9所述的薄型单晶硅制作技术，其特征在于其中该第一蚀刻溶液的温度从10℃至100℃。

11.根据权利要求9所述的薄型单晶硅制作技术，其特征在于其中该第二蚀刻溶液为氢氟酸/双氧水水溶液。

12.根据权利要求11所述的薄型单晶硅制作技术，其特征在于其中该第二蚀刻溶液的温度从10℃至100℃。

13.根据权利要求11所述的薄型单晶硅制作技术，其特征在于其中该第二蚀刻溶液中的氢氟酸/双氧水的摩尔浓度比值低于该第一蚀刻溶液的氢氟酸/双氧水的摩尔浓度比值。

14.根据权利要求1所述的薄型单晶硅制作技术，其特征在于其中在该步骤(5)中，经侧向蚀刻后的该微米结构或纳米结构形成微米结构薄膜或纳米结构薄膜。

15.根据权利要求14所述的薄型单晶硅制作技术，其特征在于其中该微米结构薄膜或纳米结构薄膜的厚度为50纳米至1000微米。

16.根据权利要求14所述的薄型单晶硅制作技术，其特征在于其中微米结构薄膜或纳米结构薄膜为微米或纳米线薄膜、微米或纳米洞薄膜、微米或纳米柱薄膜、微米或纳米条状结构薄膜、或是微米或纳米网状结构薄膜。

17.根据权利要求14所述的薄型单晶硅制作技术，其特征在于其中该步骤(6)是将微米结构薄膜或纳米结构薄膜由该基板上刮下形成粉末或片状结构。

18.根据权利要求17所述的薄型单晶硅制作技术，其特征在于其中该片状结构的面积在50nm²至10μm²。

19.根据权利要求1所述的薄型单晶硅制作技术，其特征在于其中该步骤(6)是以转印、贴黏、或是材料应力方法，而将该微米结构或纳米结构而该基板上剥离，并转移至承载基板上。