[发明专利]一种二极管芯片的制备方法有效
| 申请号： | 201210518664.8 | 申请日： | 2012-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN102983077A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 邓华鲜 | 申请（专利权）人： | 乐山嘉洋科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 毛光军 |
| 地址： | 614000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 二极管 芯片 制备 方法 | ||
1.一种二极管芯片的制备方法, 包括N+层（1）和P+层（2），其特征在于,采用如下步骤进行:
A）、在 N+（1）型衬底硅片正面生长至少一层用于电流漂移的N型层（3）；
B)、在N型层表面生长一层二氧化硅（2）；
C）、在二氧化硅（2）层上涂覆光刻胶；
D）、在光刻胶上光刻出分压环窗口和主结窗口，腐蚀沟槽；
E）、上述D）步骤后，采用离子注入法，生成P+层（2）和P-层（4），形成以P+层为主结，至少一个分压环P-层（4）为副结的闭合环；
F）对腐蚀后沟槽涂覆玻璃钝化层（5）；
G）、在N+层（1）和P+层（2）表面均溅射镀镍合金层（6）。
2.根据权利要求1所述的一种二极管芯片的制备方法,其特征在于：所述C）步骤中涂覆光刻胶，采用动态喷洒工艺涂覆。
3.根据权利要求2所述的一种二极管芯片的制备方法,其特征在于：所述涂覆光刻胶在80-120℃条件下软烤1-2分钟。
4.根据权利要求1至3任一项所述的一种二极管芯片的制备方法,其特征在于：所述D）步骤中的光刻，采用辐射源将图像转移到光刻胶上，曝光后在110-130℃下烘烤1-2分钟，显影成形。
5.根据权利要求4所述的一种二极管芯片的制备方法,其特征在于：所述显影采用水坑式显影，喷覆显影液到硅片表面，并形成水坑形状，将硅片固定或旋转，涂覆3—5次显影液后用去离子水冲洗并旋转甩干，显现光刻胶中的潜在图形；显影后在100-130℃下烘烤1-2分钟，挥发残溶液，坚膜。
6.根据权利要求5所述的一种二极管芯片的制备方法,其特征在于：所述D）步骤中采用氢氟酸腐蚀。
7.根据权利要求6所述的一种二极管芯片的制备方法,其特征在于：所述辐射源采用红外线辐射源。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
