[发明专利]具有载重的压电式扬声器及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201210519474.8 申请日: 2012-12-06
公开(公告)号: CN103428622A 公开(公告)日: 2013-12-04
发明(设计)人: 金惠珍;梁佑硕 申请(专利权)人: 韩国电子通信研究院
主分类号: H04R17/00 分类号: H04R17/00;H04R31/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邱军
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 具有 载重 压电 扬声器 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种具有载重的压电式扬声器,包括:

压电装置,具有压电层和电极,该电极形成在该压电层上或在该压电层上和下方,以给该压电层施加电信号;

声学振膜,具有宽于该压电装置的面积且接合在该压电装置的一个表面上;

框架,以围绕该声学振膜的侧表面的形式设置;以及

载重,设置在其上设置有该压电装置的该声学振膜上方或者该声学振膜上方和下方,从而控制振动。

2.如权利要求1所述的压电式扬声器,其中,设置在其上设置有该压电装置的该声学振膜上方的上部载重沿着该声学振膜的中心设置在该声学振膜的长轴方向上。

3.如权利要求2所述的压电式扬声器,其中,设置在其上设置有该压电装置的该声学振膜下方的下部载重设置为在该声学振膜的左下侧和右下侧上平行。

4.如权利要求1所述的压电式扬声器,其中,该载重的宽度大于或等于该声学振膜的短轴长度的1/4,并且该载重的长度短于该声学振膜的长轴长度。

5.如权利要求1所述的压电式扬声器,其中,该压电层的材料包括PZT、PMN-PT、PZN-PT、PIN-PT、PYN-PT、PVDF、PVDF-TrFE、BNT(BaNiTiO3)和BZT-BCT中的任何一种。

6.如权利要求1所述的压电式扬声器,其中,该压电层以倾斜结构或不对称结构设置在该声学振膜上,以防止形成驻波。

7.如权利要求1所述的压电式扬声器,其中,该声学振膜形成为采用纳米复合材料形成的单元结构或异质接合复合结构。

8.如权利要求7所述的压电式扬声器,其中,该异质接合复合结构是其中第一声学振膜和第二声学振膜接合的结构,该第一声学振膜是柔性声学振膜,该第二声学振膜是刚性声学振膜,并且该第一声学振膜的杨氏模数低于该第二声学振膜。

9.如权利要求8所述的压电式扬声器,其中,该第一声学振膜包括橡胶、硅树脂和聚氨酯中的任何一种。

10.如权利要求8所述的压电式扬声器,其中,该第二声学振膜包括塑料、金属、碳纳米管和石墨烯中的任何一种。

11.如权利要求7所述的压电式扬声器,其中,该纳米复合材料通过合成聚合体和包括碳纳米管或石墨烯的纳米结构材料而形成。

12.如权利要求8所述的压电式扬声器,其中,该第一声学振膜和该第二声学振膜采用接合、涂覆和沉积之一形成。

13.如权利要求8所述的压电式扬声器,其中,该第一声学振膜具有相比于该第二声学振膜的相对宽的面积且固定到该框架,并且该第二声学振膜与该框架间隔开。

14.如权利要求13所述的压电式扬声器,其中,褶皱形成在该第一声学振膜的其中没有该第二声学振膜的预定区域中,从而增加柔性。

15.如权利要求8所述的压电式扬声器,其中,该第二声学振膜与该框架间隔开且位于该声学振膜的中心,并且该第一声学振膜设置在该框架与该第二声学振膜之间且设置成朝着该压电式扬声器的前部弯曲的曲线形状。

16.如权利要求1所述的压电式扬声器,其中,该框架构造为阻挡来自该声学振膜的背后的声音辐射的壳形式,并且该框架与该声学振膜的底表面间隔开,从而形成预定间隔。

17.如权利要求16所述的压电式扬声器,还包括:

保护盖,容纳该压电式扬声器的前表面且具有形成在该保护盖的前表面中的多个音孔。

18.一种具有载重的压电式扬声器的制造方法,该方法包括:

压电装置接合步骤,采用高弹性阻尼材料在声学振膜上接合压电装置;

上部载重设置步骤,在其上接合有该压电装置的该声学振膜上方沿着该声学振膜的中心在该声学振膜的长轴方向上设置柔性材料的上部载重;以及

框架设置步骤,以围绕该声学振膜的侧表面的形式设置框架。

19.如权利要求18所述的方法,还包括:

在该上部载重设置步骤之后的在该声学振膜下方设置下部载重的下部载重设置步骤,

其中该下部载重设置为与该上部载重不交叠,并且设置为在该声学振膜的左下侧和右下侧上平行。

20.如权利要求19所述的方法,其中,该上部载重和该下部载重形成为使其宽度大于或等于该声学振膜的短轴长度的1/4,并且其长度短于该声学振膜的长轴长度。

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