[发明专利]一种有序多孔含能晶体材料的制备方法有效
| 申请号： | 201210519633.4 | 申请日： | 2012-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN103044173A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 沈金朋;杨光成;谯志强;李瑞 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院化工材料研究所;四川省新材料研究中心 |
| 主分类号： | C06B21/00 | 分类号： | C06B21/00;C06B23/00;C06B25/34;C06B25/32 |
| 代理公司： | 四川省成都市天策商标专利事务所 51213 | 代理人： | 刘兴亮 |
| 地址： | 621000*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 有序 多孔 晶体 材料 制备 方法 | ||
1.一种有序多孔含能晶体材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
A．将一定量的含能材料在室温下溶解于含能材料的良性溶剂中；
B．向步骤A的溶液中加入一定量的晶体形貌控制剂，搅拌溶解；
C．将步骤B的溶液在磁力搅拌的条件下缓慢的加入到含能材料和晶体形貌控制剂的不良溶剂；
D．将步骤C的溶液继续搅拌一定时间之后，过滤，得到含能材料与晶体形貌控制剂的复合物；
E．将步骤D中所得的复合物中加入到溶剂中，所述的溶剂为含能材料的不良溶剂，晶体形貌控制剂的良性溶剂；多次洗涤，除去晶体形貌控制剂；
F．将步骤E所得过滤，干燥，得到纯的有序多孔含能晶体材料。
2.根据权利要求1所述的一种有序多孔含能晶体材料的制备方法，其特征在于所述的含能材料为CL-20、HMX、RDX、PETN、FOX-7、AP中的一种。
3.根据权利要求1所述的一种有序多孔含能晶体材料的制备方法，其特征在于所述的晶体形貌控制剂为杯[4]芳烃，杯[6]芳烃，杯[8]芳烃，二苯并-18-冠醚-6，α-环糊精，β-环糊精，γ-环糊精中的一种。
4.根据权利要求1所述的一种有序多孔含能晶体材料的制备方法，其特征在于所述的晶体形貌控制剂的质量百分含量为1%-50%。
5.根据权利要求1所述的一种有序多孔含能晶体材料的制备方法，其特征在于所述的磁力搅拌的转速为100转/分-1000转/分。
6.根据权利要求1所述的一种有序多孔含能晶体材料的制备方法，其特征在于所述的步骤C中不良溶剂与步骤A中良性溶剂的体积比大于5。
7.根据权利要求1-6任意一项所述的一种有序多孔含能晶体材料的制备方法，其特征在于采用所述制备方法制备的有序多孔含能晶体材料的孔径为10-500nm。
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