[发明专利]III族氮化物半导体发光器件无效
| 申请号： | 201210519652.7 | 申请日： | 2012-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN103165772A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 中村亮 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;吴鹏章 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 发光 器件 | ||
1.一种具有发光层和在所述发光层上的p覆层的III族氮化物半导体发光器件，所述器件包括：
高杂质浓度层，其形成在所述发光层的与所述p覆层侧相反的一侧并且掺杂有n型杂质；
低杂质浓度层，其在所述高杂质浓度层和所述发光层之间形成为与所述发光层相接触，所述低杂质浓度层的n型杂质浓度比所述高杂质浓度层的n型杂质浓度低；以及
其中，所述低杂质浓度层的n型杂质浓度为所述p覆层的p型杂质浓度的1/1000至1/100，并且所述低杂质浓度层的厚度为至
2.根据权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述低杂质浓度层的n型杂质浓度为1×1017/cm3至1×1018/cm3。
3.根据权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述低杂质浓度层的厚度为至
4.根据权利要求2所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述低杂质浓度层的厚度为至
5.根据权利要求3所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述低杂质浓度层的厚度为至
6.根据权利要求4所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述低杂质浓度层的厚度为至
7.根据权利要求1至6中任一项所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述低杂质浓度层具有超晶格结构。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述高杂质浓度层和所述低杂质浓度层为具有超晶格结构的n覆层。
9.根据权利要求7所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述高杂质浓度层和所述低杂质浓度层为具有超晶格结构的n覆层。
10.根据权利要求7所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述超晶格结构包括重复沉积的多个层单元，每个层单元包括由未掺杂或掺杂有n型杂质的InGaN以及未掺杂或掺杂有n型杂质的GaN制成的至少两个层。
11.根据权利要求8所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述超晶格结构包括重复沉积的多个层单元，每个层单元包括由未掺杂或掺杂有n型杂质的InGaN以及未掺杂或掺杂有n型杂质的GaN制成的至少两个层。
12.根据权利要求9所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述超晶格结构包括重复沉积的多个层单元，每个层单元包括由未掺杂或掺杂有n型杂质的InGaN以及未掺杂或掺杂有n型杂质的GaN制成的至少两个层。
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