[发明专利]层叠片、及使用层叠片的半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种层叠片，其特征在于，具有背磨带和树脂组合物层，所述背磨带具有在基材上形成有粘合剂层的构成，所述树脂组合物层被设置在所述背磨带的所述粘合剂层上，其中，

所述粘合剂层的拉伸弹性模量在23℃下为0.1～5.0MPa，

所述粘合剂层与所述树脂组合物层之间的T剥离强度在23℃、300mm/分钟的条件下为0.1～5N/20mm。

2.根据权利要求1所述的层叠片，其特征在于，所述树脂组合物层含有热固化性树脂。

3.根据权利要求1或2所述的层叠片，其特征在于，所述热固化性树脂为环氧树脂。

4.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，是使用了层叠片的半导体装置的制造方法，所述层叠片具有背磨带和树脂组合物层，所述背磨带具有在基材上形成有粘合剂层的构成，所述树脂组合物层被设置在所述背磨带的所述粘合剂层上，所述层叠片中，所述粘合剂层的拉伸弹性模量在23℃下为0.1～5.0MPa，所述粘合剂层与所述树脂组合物层之间的T剥离强度在23℃、300mm/分钟的条件下为0.1～5N/20mm，

该制造方法具备：

将所述层叠片的树脂组合物层面与半导体晶片的电路面贴合而得到带层叠片的半导体晶片的工序；

对所述带有层叠片的半导体晶片的未贴附层叠片的面进行磨削来使其薄化的工序；

在薄化后的带有层叠片的半导体晶片的磨削面上贴合切割带而得到贴合有切割带和层叠片的半导体晶片的工序；

从所述层叠片侧对贴合有所述切割带和层叠片的半导体晶片进行切割的工序；

在切割后将粘合带贴附于所述层叠片的工序；以及

将所述粘合带与所述背磨带一起从所述树脂组合物层剥离的工序。

5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述树脂组合物层含有热固化性树脂。

6.根据权利要求4或5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述热固化性树脂为环氧树脂。