[发明专利]用于太阳能电池的铜掺杂硫化铅量子点敏化剂及制备方法无效
申请号: | 201210520529.7 | 申请日: | 2012-11-29 |
公开(公告)号: | CN103854864A | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | 邹小平;黄宗波;周洪全 | 申请(专利权)人: | 北京信息科技大学 |
主分类号: | H01G9/042 | 分类号: | H01G9/042;H01G9/20 |
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地址: | 100101 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 太阳能电池 掺杂 硫化铅 量子 点敏化剂 制备 方法 | ||
1.一种用于太阳能电池的铜掺杂硫化铅量子点敏化剂,其特征在于:所述方法是将杂质原子掺杂到半导体量子点中,作为敏化剂组装成量子点敏化太阳能电池。
2.根据权利要求1所述的铜掺杂硫化铅量子点敏化剂,其特征在于所述的掺杂方法为连续离子层吸附与反应(Successive ionic layer adsorption and reaction,SILAR)。
3.根据权利要求1所述的铜掺杂硫化铅量子点敏化太阳能电池,其特征在于所述的电池敏化剂层结构为:Cu掺杂的PbS/CdS。
4.根据权利要求1所述的量子点敏化剂,其特征在于所述的量子点敏化剂为Cu掺杂的PbS、CdS。
5.根据权利要求1所述的掺杂量子点敏化剂,其特征在于所述的杂质原子为Cu。
6.根据权利要求1所述的掺杂量子点敏化剂,其特征在于所述的Cu杂质原子掺入PbS量子点形成Cu掺杂的PbS半导体量子点。
7.根据权利要求1所述的敏化太阳能电池,其特征在于所述的CdS半导体量子点沉积在Cu掺杂的PbS半导体量子点之上,作为敏化剂组装成量子点敏化太阳能电池。
8.根据权利要求1所述的掺杂量子点敏化剂,其特征在于所述方法的具体步骤为:
1)配备浓度为0.01M-1M含有PbS半导体量子点阳离子的可溶性盐溶液,放入20-50℃的水浴中恒温30-60min;
2)将含有Cu杂质原子的可溶性盐溶液加入步骤1)配备的阳离子溶液当中,其中杂质原子与半导体量子点原子个数的比为1∶5-1∶1000;
3)配备浓度为0.01M-1M含有半导体量子点阴离子的可溶性溶液,放入20-50℃的水浴中恒温20-60min;
4)将待敏化的宽禁带半导体光阳极材料浸入步骤2)制备的溶液中1-60min,取出用相应溶剂冲洗之后,用氮气吹干;
5)将步骤4)得到的光阳极材料浸入步骤3)制备的阴离子溶液中1-10min,取出用相应溶剂冲洗之后,用氮气吹干,则在光阳极材料上形成Cu掺杂的PbS半导体量子点敏化剂层;
6)配备浓度为0.01M-1M含有CdS半导体量子点阳离子的可溶性盐溶液,放入20-50℃的水浴中恒温30-60min;
7)将步骤5)制得的Cu掺杂的PbS量子点敏化光阳极材料浸入步骤6)制备的溶液中1-10min,取出用相应溶剂冲洗之后,用氮气吹干;
8)将步骤7)制得的光阳极材料浸入步骤3)制备的阴离子溶液中1-10min,取出用相应溶剂冲洗之后,用氮气吹干,则在光阳极材料上形成Cu掺杂PbS和CdS量子点敏化剂层。
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