[发明专利]一种羟基氧化镓纳米晶体的制备方法无效
申请号: | 201210520733.9 | 申请日: | 2012-12-06 |
公开(公告)号: | CN102976393A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
发明(设计)人: | 张剑;史立慧;吴思;崔啟良 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | C01G15/00 | 分类号: | C01G15/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人: | 王恩远 |
地址: | 130012 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 羟基 氧化 纳米 晶体 制备 方法 | ||
1.一种羟基氧化镓纳米晶体的制备方法,以氯化镓、苯和甲醇为原料,首先配制氯化镓的苯饱和溶液,再加入氯化镓苯饱和溶液体积8倍的苯进行稀释,得到稀释液;在超声条件下向稀释液中滴加甲醇,甲醇的用量为氯化镓苯饱和溶液体积的16~17倍;滴加完毕停止超声,再密封加热反应,反应温度为160~200℃,反应时间为12~48h;反应后的液体降至室温,丙酮清洗,将沉淀烘干收集,得到白色粉末状的羟基氧化镓纳米晶体。
2.按照权利要求1所述的羟基氧化镓纳米晶体的制备方法,其特征在于,所述的原料,氯化镓的质量纯度为99.99%,苯为分析纯,甲醇为分析纯。
3.按照权利要求1或2所述的羟基氧化镓纳米晶体的制备方法,其特征在于,所述的密封加热反应,反应温度为160℃,反应时间48h。
4.一种权利要求3的羟基氧化镓纳米晶体的制备方法制得的羟基氧化镓纳米晶体。
5.按照权利要求4所述的羟基氧化镓纳米晶体,其特征在于,羟基氧化镓纳米晶体形貌为纳米刷状,纳米刷的平均长度为3μm,刷头直径为10~30nm。
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