[发明专利]磁阻式随机存取存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 201210520868.5 | 申请日： | 2012-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN103378287B | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 徐晨祐;刘世昌;蔡嘉雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁阻 随机存取存储器 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造带有多个磁性隧道结(MTJ)单元的磁阻式随机存取存储器(MRAM)的方法包括：
形成底部导电层；
形成抗铁磁性层；
形成位于所述底部导电层和所述抗铁磁性层上方的隧道层；
形成位于所述隧道层上方的自由磁层，所述自由磁层具有磁矩，所述磁矩与可通过施加电磁场进行调节的方向对准；
形成位于所述自由磁层上方的顶部导电层；
实施至少一种光刻工艺去除所述抗铁磁性层、所述隧道层、所述自由磁层和所述顶部导电层未被光刻胶层覆盖的部分，直到所述底部导电层暴露；以及
去除所述MTJ单元的至少一个侧壁的一部分。
2.根据权利要求1所述的方法，去除所述MTJ单元的至少一个侧壁的一部分之后，在所述MTJ单元上形成保护层以密封所述MTJ单元。
3.根据权利要求2所述的方法，在所述保护层上方形成硬掩模。
4.根据权利要求2所述的方法，所述保护层的厚度在大约15埃至50埃之间。
5.根据权利要求1所述的方法，其中去除所述MTJ单元的至少一个侧壁的一部分的步骤包括使用干式蚀刻工艺。
6.一种磁阻式随机存取存储器(MRAM)器件，包括磁性隧道结(MTJ)单元，所述MTJ单元包括：
底部导电层；
抗铁磁性层；
位于所述底部导电层和所述抗铁磁性层上方的隧道层；
位于所述隧道层上方的自由磁层；以及
位于所述自由磁层上方的顶部导电层；所述顶部导电层的直径比位于所述顶部导电层和所述底部导电层之间的层的直径大。
7.根据权利要求6所述的MRAM器件，其中所述MTJ单元被保护层密封。
8.根据权利要求7所述的MRAM器件，其中所述保护层的厚度是约15至50埃。
9.根据权利要求7所述的MRAM器件，其中所述保护层包含NiFeHf。
10.根据权利要求7所述的MRAM器件，其中所述保护层是复合层。
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