[发明专利]一种光波导芯片与PD阵列的耦合封装结构有效

申请号：	201210522242.8	申请日：	2012-12-07
公开（公告）号：	CN102981223A	公开（公告）日：	2013-03-20
发明（设计）人：	石川;梁雪瑞;陈征;江雄;汪灵杰	申请（专利权）人：	武汉光迅科技股份有限公司
主分类号：	G02B6/42	分类号：	G02B6/42
代理公司：	武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222	代理人：	张火春
地址：	430205 湖北省***	国省代码：	湖北;42
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摘要：
搜索关键词：	一种波导芯片 pd 阵列耦合封装结构
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【权利要求书】：

1.一种光波导芯片和PD阵列的耦合封装装置，其特征在于：

所述的耦合封装装置包括有底板（107）、设置在底板（107）上的波导支撑架（105）、固定于波导支撑架（105）上的波导芯片（101）、设置在底板（107）上的基板（103）；

所述的波导芯片（101）由衬底、下包层、供光信号传输的芯层、上包层所构成，其输出端面设置成具有倾斜角度且其上镀有全反射薄膜的斜面，其衬底背面设置有第三标识线面（110）；

所述的基板(103)上分别设置有第一标识线面(108)和第二标识线面(109)，其第一标识线面(108) 处粘接有光敏面向上的PD阵列（102），其第二标识线面(109) 处粘接有开口向上的U型垫块（104），所述U型垫块（104）的槽宽与波导芯片（101）的宽度相同；

所述的波导芯片（101）以其第三标识线面（110）同所述第二标识线面(109) 宽度相对应贯穿设置于所述U型垫块（104）的U型槽内且位于所述PD阵列（102）的正上方。

2.如权利要求1所述的一种光波导芯片和PD阵列的耦合封装装置，其特征在于：

所述第三标识线面（110）与波导芯片（101）斜边边缘距离L为：L=x1+L1-h1*tan(90-2*A)；式中：x1为PD阵列光敏面（112）光敏面位置距第一标识线面（108）的右侧标识线距离，L1为第一标识线面（108）与第二标识线面（109）之间的间距，h1为波导芯片（101）与PD阵列（102）之间的高度差，A为波导芯片（101）输出端面的倾斜角度。

3.如权利要求1或2所述的一种光波导芯片和PD阵列的耦合封装装置，其特征在于：

所述的波导芯片（101）输出端面的倾斜角A为：40°<A<43°或者47°<A<50°。

4.如权利要求1或2所述的一种光波导芯片和PD阵列的耦合封装装置，其特征在于：

所述的U型垫块（104）的U型槽高度h为：h>x3+x2；式中：x3为波导芯片（101）的最大振幅，x2为PD阵列（102）的高度。

5.如权利要求1或2所述的一种光波导芯片和PD阵列的耦合封装装置，其特征在于：

所述的全反射薄膜为多层介质氧化物薄膜或者是溅射的金属膜。

6.如权利要求1或2所述的一种光波导芯片和PD阵列的耦合封装装置，其特征在于：

所述U型垫块（104）的材质为石英。

7.如权利要求1或2所述的一种光波导芯片和PD阵列的耦合封装装置，其特征在于：

所述的波导芯片（101）与波导支撑架（105）之间由硅橡胶粘接。

8.如权利要求1或2所述的一种光波导芯片和PD阵列的耦合封装装置，其特征在于：

所述的PD阵列（102）与第一标识线面(108)之间以及U型垫块（104）与第二标识线面(109)之间采用热固化胶粘接。