[发明专利]电容阵列及其制造方法

权利要求书

1.一种电容阵列包含：

多个电容，各电容包含一个电极；以及

一个支撑框架，用于支撑该多个电极，该支撑框架包含对应该多个电极的多个支撑结构，各支撑结构围绕着对应的电极，又该支撑框架包含掺杂且可氧化材料的氧化物。

2.如权利要求1所述的电容阵列，其中该支撑框架进一步包含掺杂的可氧化材料。

3.如权利要求1所述的电容阵列，其中该支撑框架进一步包含未掺杂的可氧化材料的氧化物。

4.如权利要求1所述的电容阵列，其中该可氧化材料包含多晶硅。

5.如权利要求1所述的电容阵列，其中该电极的高度和该支撑框架的厚度比例介于20：1至8：1的范围。

6.一种电容阵列包含：

多个电容，各电容包含一个电极；以及

一个支撑框架，用于支撑该多个电极，该支撑框架包含对应该多个电极的多个支撑结构，各个支撑结构围绕着对应的电极，又该支撑框架包含第一材料和第二材料，其中该第一材料的密度比该第二材料的密度高。

7.如权利要求6所述的电容阵列，其中该支撑框架包含将该支撑结构连结在一起的多个接合部分，其中该接合部分包含第二材料。

8.如权利要求6所述的电容阵列，其中该第一材料包含未掺杂的多晶硅氧化物。

9.如权利要求6所述的电容阵列，其中该第二材料包含掺杂的多晶硅氧化物。

10.如权利要求6所述的电容阵列，其中该电极的高度和该支撑框架的厚度比例介于20：1至8：1的范围。

11.一种制造电容阵列的方法，包含以下的步骤：

提供一基板，该基板包含由第一材料组成的第一层和一第二材料层，其中该层的第二材料在该第一材料层之下，且该第一材料的密度比该第二材料的密度高；

形成多个开孔于由该第一材料所组成的第一层；

在所述多个开孔里形成内衬；

加深所述多个开孔到至少使一部分的该第二材料层暴露出来；

进行对暴露的第二材料层氧化工艺并且形成一支撑框架；

进一步加深开孔；以及

在开孔中形成多个电极。

12.如权利要求11所述的制造电容阵列的方法，其中加深所述多个开孔到至少使一部分的该第二材料层暴露出来的步骤包含加深所述多个开孔并穿透该第二材料层的步骤。

13.如权利要求11所述的制造电容阵列的方法，其中形成多个开孔于由该第一材料所组成的第一层步骤包含将所述多个开孔深入第二材料层的步骤。

14.如权利要求11所述的制造电容阵列的方法，其中由该第一材料所组成之该第一层的厚度和第二材料层的厚度比例介于10：1至4：1之范围。

15.如权利要求11所述之制造电容阵列的方法，其中该基板还包含由该第一材料所组成的一第二层，其中该第二材料层介于由该第一材料所形成的该第一层和该第二层之间。

16.如权利要求11所述的制造电容阵列的方法，其中该第一材料包含多晶硅。

17.如权利要求11所述的制造电容阵列的方法，其中该第二材料包含掺杂的多晶硅。