[发明专利]多晶硅锭及其制造方法

权利要求书

1.一种多晶硅锭制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

A、将硅料直接装载到多晶铸锭炉的坩埚内；

B、对所述坩埚进行加热，全部熔化所述硅料；

C、对所述坩埚进行降温，使熔化的硅料从所述坩埚底部开始结晶；

D、当多晶硅锭生长的高度为20mm~60mm时，包括端点值，控制所述多晶铸锭炉内部的热场，对已生长的多晶硅锭进行回熔，该回熔过程保持所述坩埚底部的部分多晶硅锭为固态；

E、对所述坩埚进行降温，直至多晶硅锭生长完成。

2.根据权利要求1所述的多晶硅锭制造方法，其特征在于，步骤D的回熔过程中保持所述坩埚底部部分多晶硅锭的高度为10mm~40mm，包括端点值。

3.根据权利要求2所述的多晶硅锭制造方法，其特征在于，步骤D的回熔过程中保持所述坩埚内的固液界面基本水平。

4.根据权利要求1所述的多晶硅锭制造方法，其特征在于，步骤E中，多晶硅锭的生长速度为12mm/h~14mm/h，包括端点值。

5.根据权利要求1所述的多晶硅锭制造方法，其特征在于，步骤C中对所述坩埚进行降温的方式至少包括以下几项中的一项：

打开所述多晶铸锭炉底部的散热装置进行散热；

降低所述多晶铸锭炉内的加热器的功率；

隔热笼上升。

6.根据权利要求5所述的多晶硅锭制造方法，其特征在于，步骤C-步骤E的过程中，所述坩埚底部的散热装置持续打开。

7.根据权利要求6所述的多晶硅锭制造方法，其特征在于，步骤D中控制所述多晶铸锭炉内的热场的方法包括：

控制隔热笼下降至所述多晶硅锭回熔所需的高度；

增大所述多晶铸锭炉内的加热器的功率。

8.根据权利要求7所述的多晶硅锭制造方法，其特征在于，步骤D中所述多晶铸锭炉内的温度升高100℃~150℃，包括端点值。

9.根据权利要求1所述的多晶硅锭制造方法，其特征在于，在执行步骤B之前还包括：对铸锭炉内部热场和硅料进行预热。

10.根据权利要求1所述的多晶硅锭制造方法，其特征在于，在执行步骤E之后还包括：对已生长完成的多晶硅锭进行退火，以消除多晶硅锭内应力。

11.根据权利要求7所述的多晶硅锭制造方法，其特征在于，对已生长完成的多晶硅锭进行退火之后还包括：对多晶硅锭进行降温，在温度降至400℃~450℃，包括端点值，出炉。

12.一种采用权利要求1-8任一项所述的方法生产的多晶硅锭，其特征在于，所述多晶硅锭的位错密度数量级在10⁵以下。