[发明专利]一种测量MOSFET器件峰值结温分布的方法

权利要求书

1.一种测量MOSFET器件峰值结温分布的方法，其特征在于，包括如下步骤：

在恒温装置内，采集MOSFET器件的多阶梯恒流脉冲所对应的温敏参数，获得所述MOSFET器件的电流-温敏参数-温度三维曲线簇；

设定所述MOSFET器件的有效面积，根据MQH算法，选定基准电流，得到所述基准电流的序列；

根据所述电流-温敏参数-温度三维曲线簇和所述基准电流的序列，得到电流-有效面积-温敏参数-温度曲线簇；

通过所述多阶梯恒流重复脉冲测试所述MOSFET器件，得到同一电流在不同时间的温敏参数，然后将所述同一电流在不同时间的温敏参数进行多项式拟合，得到零时刻温敏参数；

根据所述零时刻温敏参数和所述电流-有效面积-温敏参数-温度曲线簇，得到所述有效面积所对应的结温。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电流-有效面积-温敏参数-温度曲线簇通过以所述基准电流的序列为参量，以所述温敏参数为自变量，以所述温度为应变量进行多项式拟合即得。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述得到同一电流在不同时间的温敏参数的方法具体包括如下步骤：

对所述MOSFET器件加一栅压，使所述MOSFET器件的沟道开启，然后在漏极和源极之间施加一加热电压，所述加热电压所产生的加热电流从所述漏极流向所述源极；

经加热后，关断所述栅压和所述加热电压，所述沟道关闭，分别在所述源极和所述漏极之间施加一测量电流，所述测量电流从所述源极流向所述漏极，立即测量所述MOSFET器件的温敏参数，通过多阶梯恒流重复脉冲测试所述MOSFET器件，得到同一电流在不同时间的温敏参数。