[发明专利]一种硫化镉量子点的生物合成法无效

专利信息
申请号: 201210524623.X 申请日: 2012-12-10
公开(公告)号: CN102965406A 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 易斌;陈桂秋;曾光明;陈安伟;杜坚坚;黄健;张企华;官嵩;李欢可;尚翠;周颖 申请(专利权)人: 湖南大学
主分类号: C12P11/00 分类号: C12P11/00;C12N1/14;C12R1/645
代理公司: 湖南兆弘专利事务所 43008 代理人: 赵洪;杨斌
地址: 410082 湖南省长沙*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 硫化 量子 生物 成法
【说明书】:

技术领域

发明涉及纳米材料的制备,具体涉及一种硫化镉量子点的生物合成法。

背景技术

量子点(quantum dots,QDs),又称半导体纳米晶,是由II~VI族、III~V族、Si、Ge等元素组成,尺寸在其激子波尔半径以内的纳米颗粒,具有明显的量子限域效应。在近几十年里,量子点由于具有独特的电学和光学性质,在生物化学、分子生物学、以及光电池等研究领域显示了极其广阔的应用前景,与传统有机荧光染料相比,量子点具有尺寸可调的荧光发射、窄且对称的发射光谱、宽且连续的吸收光谱以及极好的光稳定性等优点,使得量子点的合成方法受到越来越广泛的探索与研究。

早期的量子点合成方法多为金属有机相法,即使金属有机化合物在具有配位性质的有机溶剂环境中生长。如1993 年,Murray 等用二甲基镉和三辛基硒化膦作前体,将其依次注入剧烈搅拌的350 ℃的三辛基氧化膦(trioctylphosphine oxide,TOPO)溶液中,合成了高荧光产率的CdSe QDs,采用尺寸选择沉淀方法可得到单分散的CdSe QDs。金属有机相法制备的量子点有很突出的优点,如粒度可控、荧光发射峰窄等,但是金属有机相法多采用高毒性的化学制剂,如三辛基膦和三辛基氧膦,合成的量子点毒性大,生物相容性低。目前硫化镉量子点的合成大多数是采用化学法,化学法有其本身具有的优点,比如能有效控制量子点的尺寸与形貌。但是,化学法也存在很多弊端,如所用制剂毒性大、费用高,并且大多数需要在高温下反应,制得量子点的生物相容性不高。水热合成法是目前使用较多的方法,该法操作简单、成本较低,但是合成的量子点的单色性不佳,半高峰宽不够窄,而且需要高温,2005年,汪勇先等采用水热法合成的裸量子点硫化镉,其半高峰宽为近100nm。

鉴于量子点已经慢慢步入生命科学的领域,合成毒性低、生物相容性高和单色性好的量子点成为一种迫切需求。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的不足,提供一种操作简单、制备条件温和、成本低廉、重现性好的硫化镉量子点的生物合成法,该法制备的硫化镉量子点毒性低、生物相容性高且单色性好。

为了解决上述技术问题,本发明提出了一种硫化镉量子点的生物合成法,所述方法是以硫代乙酰胺为S源,以水溶性镉盐为Cd源,以巯基化合物为稳定剂,以黄孢原毛平革菌(Phanerochaete chrysosporium)菌丝球为吸附体,将所述S源、Cd源和巯基化合物加入含黄孢原毛平革菌菌丝球的培养液中进行摇床振荡培养,培养完成后经过滤、去离子水清洗、超声破碎、离心和纯化,得到硫化镉量子点。

上述方法中,所述S源、Cd源和巯基化合物的物质的量之比为1∶2~10∶100~200。

上述方法中,所述水溶性镉盐为CdCl2、Cd(NO3)2·4H2O、Cd(ClO4)2、CdSO4中的一种。

上述方法中,所述巯基化合物为L-半胱氨酸、巯基琥珀酸、半胱氨酸、巯基乙酸、巯基丙酸、巯基丁酸、硫代甘油中的一种或多种。

上述方法中,所述培养液为Kirk无机培养液,其pH值为9~12。 

上述方法中,所述摇床振荡培养的培养温度为30℃~40℃,振荡速度为120r/min~150r/min,培养时间为10h~15h。

上述方法中,所述黄孢原毛平革菌菌丝球的制备包括以下步骤:

(1)从琼脂培养基的表面刮取所述黄孢原毛平革菌的分生孢子,将分生孢子均匀悬浮在蒸馏水中,调节浊度,使每毫升悬浮液中含有104~2.5×106个分生孢子,得到孢子悬浮液;

(2)将所述孢子悬浮液以1%~3%的体积比接种于所述培养液中,在温度为30℃~40℃、振荡速度为120r/min~150r/min、pH值为6.5~7.5的条件下进行摇床振荡培养,直至形成黄孢原毛平革菌菌丝球。

与现有技术相比,本发明的优点在于:本发明利用了生物辅助吸附合成的技术,操作简单,制备条件温和,成本低廉,重现性好。本发明的生物合成法引进的是低毒的化学制剂,因而制备的硫化镉量子点具有毒性低、生物相容性好、稳定性高的特点。另外,利用本发明制备的硫化镉量子点形状尺寸均一,单色性好(半高峰宽小于20nm),具有优异的光学性能。

附图说明  

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