[发明专利]一种具提升光明灭比的整合式检光装置

权利要求书

1.一种具提升光明灭比的整合式检光装置，其特征在于，包括：

固定光纤金属基座，所述固定光纤金属基座包括左窗口与右窗口；其中，所述左窗口与所述右窗口内各有准直镜面；

析光器基座，所述析光器基座由下往上套入所述固定光纤金属基座，并有一圆孔；及

法布里-比洛析光器，所述法布里-比洛析光器连接在所述圆孔上。

2.根据权利要求1所述的具提升光明灭比的整合式检光装置，其特征在于，其中所述左窗口与所述右窗口提供光纤直接插入对准。

3.根据权利要求1所述的具提升光明灭比的整合式检光装置，其特征在于，其中所述析光器基座底座具有螺纹并以螺丝转轴控制。

4.根据权利要求3所述的具提升光明灭比的整合式检光装置，其特征在于，其中所述螺丝转轴通过旋转控制左右入射光角度、中心波长位置、析光器带宽。

5.一种具提升光明灭比的整合式检光装置，其特征在于，包括：

TO-can检光组件，所述To-can检光组件底部有三支接脚，顶部通过中空座体与析光载具底部连接，形成中空容置室；所述析光载具顶部连接中空通道，所述中空通道另一端连接光纤蕊心开口，且所述中空通道内部为陶瓷套筒；及

法布里-比洛析光器，所述法布里-比洛析光器连接所述析光载具底部，在所述中空容置室和所述中空通道之间。

6.根据权利要求5所述的具提升光明灭比的整合式检光装置，其特征在于，其中所述法布里-比洛析光器的材质，为包括二氧化硅的材质。

7.根据权利要求6所述的具提升光明灭比的整合式检光装置，其特征在于，所述法布里-比洛析光器的厚度为0.1~0.3mm。

8.一种具提升光明灭比的整合式检光装置，其特征在于，包括：

检光组件芯片，所述检光元芯片焊接在金属基座上；所述金属基座具有四边支架，并连接析光器置具；所述析光器置具连接加热器；及

法布里-比洛析光器，所述法布里-比洛析光器固定在所述析光器置具。

9.根据权利要求8所述的具提升光明灭比的整合式检光装置，其特征在于，所述加热器通过电流注入，控制析光器的操作温度。

10.一种具提升光明灭比的整合式检光装置，其特征在于，包括：

检光组件芯片，所述检光元芯片焊接在金属基座上；所述金属基座具四边支架，连接双层析光器置具；

双层析光器置具，所述双层析光器置具层间以数个支柱连接；及

两个法布里-比洛析光器，所述两个法布里-比洛析光器以所述双层析光器置具的支柱相间隔，行成一共振空间。

11.根据权利要求10所述的具提升光明灭比的整合式检光装置，其特征在于，所述支柱为压电材料支柱。

12.根据权利要求10所述的具提升光明灭比的整合式检光装置，其特征在于，其中所述两个法布里-比洛析光器通过电压控制距离、波长。

13.根据权利要求10所述的具提升光明灭比的整合式检光装置，其特征在于，其中所述法布里-比洛析光器的基板为使用二氧化硅材料经光学薄膜镀膜制成的基板。

14.根据权利要求10所述的具提升光明灭比的整合式检光装置，其特征在于，其中所述法布里-比洛析光器为光纤光栅、薄膜滤波片。

15.根据权利要求10所述的具提升光明灭比的整合式检光装置，其特征在于，其中所述法布里-比洛析光器的带宽为3dB带宽，范围在12G~20GHz之间。