[发明专利]一种逆变器及显示装置有效

专利信息
申请号: 201210525729.1 申请日: 2012-12-07
公开(公告)号: CN103051232A 公开(公告)日: 2013-04-17
发明(设计)人: 聂春扬;何剑;黄家成 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司
主分类号: H02M7/537 分类号: H02M7/537;H02M1/32
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 逆变器 显示装置
【权利要求书】:

1.一种逆变器,包括主控制电路和反馈信号电路,所述主控制电路接收待机开关信号,其特征在于,

所述反馈信号电路与所述主控制电路相连;

所述反馈信号电路输出反馈信号,所述反馈信号为与所述待机开关信号同步的信号。

2.根据权利要求1所述的逆变器,其特征在于,

所述反馈信号电路包括第一电阻、第二电阻及电容器;

所述主控制电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三电阻、第四电阻及第五电阻;

所述第一电阻的一端与主控制电路中的第一晶体管的第一极相连,另一端与电容器的一端相连;

所述第二电阻的一端与所述主控制电路中的第一晶体管的第一极相连,另一端与地相连;

所述电容器的另一端与所述主控制电路中的第一晶体管的第一极相连;

所述第三电阻的一端与输入电压相连,另一端与第二晶体管的第一极相连;

所述第四电阻的一端接收待机开关信号,另一端与第二晶体管的第三极相连;

所述第五电阻的一端与第二晶体管的第二级相连,另一端与地相连;

所述第二晶体管的第二级与地相连。

3.根据权利要求2所述的逆变器,其特征在于,所述第一晶体管为NPN型三极管或P型金属氧化物半导体场效晶体管;

当所述第一晶体管为NPN型三极管时,所述第一极为集电极,所述第二极为发射极,所述第三极为基极;

当所述第一晶体管为P型金属氧化物半导体场效晶体管时,所述第一极为源极,所述第二极为漏极,所述第三极为栅极。

4.根据权利要求3所述的逆变器,其特征在于,所述第二晶体管为NPN型三极管或P型金属氧化物半导体场效晶体管;

当所述第二晶体管为NPN型三极管时,所述第一极为集电极,所述第二极为发射极,所述第三极为基极;

当所述第二晶体管为P型金属氧化物半导体场效晶体管时,所述第一极为源极,所述第二极为漏极,所述第三极为栅极。

5.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括权利要求1-4任一项所述的逆变器。

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