[发明专利]阵列基板及其制备方法、薄膜晶体管及显示装置

权利要求书

1.一种顶栅型薄膜晶体管，包括依次形成的源漏极、有源层、栅绝缘层以及栅极，其特征在于，所述有源层由微晶硅制备而成。

2.一种薄膜晶体管阵列基板，包括衬底基板和依次形成的源漏极、有源层、栅绝缘层以及栅极，其特征在于，所述有源层由微晶硅制备而成。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，还包括：

由单壁碳纳米管制备而成，且位于所述衬底基板上的透明导电膜；所述源漏极位于所述透明导电膜上。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，还包括：像素电极，所述像素电极与漏极连接，且由所述透明导电膜形成。

5.一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成源漏极的图形；

在源漏极图形上形成有源层图形、位于所述有源层图形上的栅绝缘层图形以及位于栅绝缘层图形上的栅极图形，所述有源层由微晶硅材料制备。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在源漏极图形上形成有源层图形、位于所述有源层图形上的栅绝缘层图形以及位于栅绝缘层图形上的栅极图形中，所述有源层图形、栅绝缘层图形、栅极图形通过一次构图工艺完成。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述在源漏极图形上形成有源层图形、位于所述有源层图形上的栅绝缘层图形以及位于栅绝缘层图形上的栅极图形中，具体包括：

在源漏极图形上利用磁控溅射沉积半导体层微晶硅，且在所述半导体层微晶硅上溅射沉积栅绝缘材料层，并在栅绝缘材料层上溅射沉积栅金属层；

在栅金属层上涂覆一层光刻胶，并用灰色或半色调掩模板对光刻胶进行曝光显影，并进行第一次刻蚀，形成预定图形的有源层和栅绝缘层，经过灰化工艺后，对栅金属层进行第二次刻蚀，形成栅极。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在形成栅极之后，还包括：

在所述栅极图形上形成钝化层图形。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在所述栅极图形上形成钝化层图形，具体包括：

利用PECVD沉积钝化材料层；

在钝化材料层上涂覆一层光刻胶，使用掩模板对光刻胶进行曝光显影；

对钝化材料层进行第一次刻蚀，引出栅极；

然后进行第二次刻蚀栅绝缘层和有源层，引出数据线，形成钝化层图形。

10.根据权利要求5~9任一项所述的制备方法，其特征在于，在衬底基板上形成源漏极的图形之前，还包括：

采用卷对卷涂布工艺在衬底基板上沉积单壁碳纳米管材料的透明导电层。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述形成源漏极图形中，源漏极的构图工艺包括：

在源漏极的金属层上涂覆一层光刻胶：

并用灰色或半色调掩模板对光刻胶进行曝光显影；

进行第一次刻蚀，形成源漏电极图形；

进行灰化工艺，将与TFT阵列基板的像素单元区对应的光刻胶去除；

进行第二次刻蚀，将像素电极区域的透明导电层刻蚀一定厚度；

将源漏极的源极以及漏极对应的光刻胶剥离。

12.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求2-4任一所述的薄膜晶体管阵列基板。