[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种IGBT的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成正面结构和背面结构，所述正面结构包括栅极结构；

在栅极结构以外的区域形成均匀分布的杂质缺陷。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在栅极结构以外的区域形成均匀分布的杂质缺陷的方式为：

在所述栅极结构表面设置掩膜层，该掩膜层完全覆盖所述栅极结构表面；

对所述正面结构进行粒子辐照，以在栅极结构以外的区域形成均匀分布的杂质缺陷。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述掩膜层为铅掩膜版，所述粒子辐照为电子束辐照，所述铅掩膜版的非镂空部分覆盖所述栅极结构表面，以避免电子束对所述栅极结构的辐照。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述电子束辐照的过程包括：

采用电子束辐照束扫描所述铅掩膜版；

进行电子束辐照退火，以在栅极结构以外的区域形成均匀分布的杂质缺陷。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述电子束辐照的辐照剂量为20KGy-160KGy。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述电子束辐照退火的退火温度为250℃-450℃。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述电子束辐照退火的退火时间为30min-180min。

8.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述铅掩膜板的镂空部分为圆孔，所述圆孔的直径为20μm-100μm。

9.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述铅掩膜板的镂空部分为正方形孔，所述正方形孔的边长为20μm-100μm。

10.一种采用权利要求1-9任一项所述的方法制作的IGBT，其特征在于，包括：

半导体衬底；

设置在所述半导体衬底上的正面结构和背面结构，所述正面结构包括栅极结构；

其中，栅极结构以外的区域形成有均匀分布的杂质缺陷。