[发明专利]一种等离子体刻蚀工艺中刻蚀产额的建模方法有效

专利信息
申请号: 201210526667.6 申请日: 2012-12-08
公开(公告)号: CN103020349A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 宋亦旭;杨宏军;孙晓民;贾培发 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 廖元秋
地址: 100084*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 等离子体 刻蚀 工艺 建模 方法
【权利要求书】:

1.一种等离子体刻蚀工艺中刻蚀产额的建模方法,其特征在于,该方法将刻蚀产额模型Ytotal进行参数化表示,然后利用优化算法和刻蚀剖面演化方法相结合计算出最优的一组控制参数,代入公式即可得到刻蚀产额模型Ytotal

该方法包括以下步骤:

1)设置优化算法、刻蚀剖面演化方法的初始参数,输入数值化的实际刻蚀剖面ER

2)根据优化算法的要求和刻蚀产额模型的控制参数的取值范围,形成由多组控制参数组成的初始控制参数集;

3)使用刻蚀剖面演化方法计算控制参数集中每组控制参数的适应值;

4)根据每组控制参数的适应值,利用优化算法搜索形成下一步控制参数集;

5)重复执行步骤3)-4),直到达到最大执行次数Nmax或满足指定的精度后转步骤6);

6)输出最优的控制参数,代入刻蚀产额模型参数化表示公式中,即得到等离子体刻蚀工艺中刻蚀产额的模型。

2.如权利要求1所述方法,其特征在于,所述步骤3)具体包括:

3.1)把控制参数集中每组控制参数和刻蚀剖面演化方法的初始参数作为输入,执行刻蚀剖面演化方法,计算得到一个模拟刻蚀剖面Es

3.2)计算实际刻蚀剖面ER和模拟刻蚀剖面Es之间的误差,如下;

es=∫Γw(x,y)dxdy

式中:Γ表示实际刻蚀剖面ER和模拟刻蚀剖面Es对应位置存在差异的区域;w(x,y)表示该区域Γ中的点(x,y)对于误差影响重要程度;

3.3)将该组控制参数的适应值赋为Fpop=-es

3.4)重复执行3.1)-3.3),计算得到控制参数集中每组控制参数的适应值。

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