[发明专利]一种基于先棕化后刷绿漆的扁平封装件制作工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种基于先棕化后刷绿漆的扁平封装件制作工艺，属于集成电路封装技术领域。

背景技术    

集成电路是信息产业和高新技术的核心，是经济发展的基础。集成电路封装是集成电路产业的主要组成部分，它的发展一直伴随着其功能和器件数的增加而迈进。自20世纪90年代起，它进入了多引脚数、窄间距、小型薄型化的发展轨道。无载体栅格阵列封装（即AAQFN）是为适应电子产品快速发展而诞生的一种新的封装形式，是电子整机实现微小型化、轻量化、网络化必不可少的产品。

    无载体栅格阵列封装元件，底部没有焊球，焊接时引脚直接与PCB板连接，与PCB的电气和机械连接是通过在PCB焊盘上印刷焊膏，配合SMT回流焊工艺形成的焊点来实现的。该技术封装可以在同样尺寸条件下实现多引脚、高密度、小型薄型化封装，具有散热性、电性能以及共面性好等特点。

AAQFN封装产品适用于大规模、超大规模集成电路的封装。AAQFN封装的器件大多数用于手机、网络及通信设备、数码相机、微机、笔记本电脑和各类平板显示器等高档消费品市场。掌握其核心技术，具备批量生产能力，将大大缩小国内集成电路产业与国际先进水平的差距，该产品有着广阔市场应用前景。

但是由于技术难度等限制，目前AAQFN产品在市场上的推广有一定难度，尤其是在可靠性方面，直接影响产品的使用及寿命，已成为AAQFN封装件的技术攻关难点。

发明内容

为了克服上述现有技术存在的问题，本发明提供一种基于先棕化后刷绿漆的扁平封装件制作工艺，使集成电路框架与塑封体结合更加牢固，不受外界环境影响，直接提高产品的封装可靠性,并在一定程度上降低成本。

本发明采用的技术方案：一种基于先棕化后刷绿漆的扁平封装件制作工艺，具体按照以下步骤进行：

第一步、减薄：减薄厚度为50μm～200μm，粗糙度Ra 0.10um～0.30um；

第二步、划片：厚度在150μm以上晶圆采用普通QFN划片工艺，厚度在150μm以下晶圆，使用双刀划片机及其工艺；

第三步、上芯：采用粘片胶上芯；

第四步、压焊；

第五步、一次塑封：用传统塑封料进行塑封；

第六步、后固化；

第七步、薄型框架背面蚀刻凹槽：使用薄型框架，用三氯化铁溶液在框架背面做局部开窗半蚀刻，形成凹槽，深度控制在框架厚度的一半以内；

第八步、棕化、刷绿漆；

第九步、后固化、磨胶、锡化、打印、产品分离、检验、包装。

所述的步骤中第三步可采用胶膜片（DAF）代替粘片胶；所述的步骤中第四步、第五步、第六步、第九步均与常规AAQFN工艺相同。

本发明的有益效果：先在框架上用腐蚀的方法形成凹槽，再用先棕化后刷绿漆的方法填充，并能在一次塑封的塑封料和框架间形成更加有效的防拖拉结构，显著提高封装件的可靠性，使用干膜替代湿膜，在降低了工艺难度的同时提高了产品的封装良率，方法易行，生产效率高。

附图说明

图1  引线框架剖面图；

图2  上芯后产品剖面图；

图3  压焊后产品剖面图；

图4  一次塑封后产品剖面图；

图5  框架背面蚀刻后产品剖面图；

图6  棕化刷绿漆后产品剖面图。

图中：1-引线框架、2-粘片胶、3-芯片、4-键合线、5-塑封体、6-蚀刻凹槽。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明做进一步说明，以方便技术人员理解。

如图1-6所示：采用本发明所述的方法用于单芯片封装，产品包括引线框架1、粘片胶2、芯片3、键合线4、塑封体5、蚀刻凹槽6；其中芯片3与引线框架1通过粘片胶2相连，键合线4直接从芯片3打到引线框架1上，引线框架1上是粘片胶2，粘片胶2上是芯片3，芯片3上的焊点与内引脚间的焊线是键合线4，塑封体5包围了引线框架1、粘片胶2、芯片3、键合线4、蚀刻凹槽6构成了电路的整体，塑封体5对芯片3的键合线4起到了支撑和保护作用，芯片3、键合线4、引线框架1构成了电路的电源和信号通道。

一种基于先棕化后刷绿漆的扁平封装件制作工艺，具体按照以下步骤进行：

实施例1

第一步、减薄：减薄厚度为100μm，粗糙度Ra 0.10um；

第二步、划片：采用厚度为100μm的晶圆，使用双刀划片机及其工艺；

第三步、上芯：采用粘片胶2上芯；

第四步、压焊：与常规AAQFN工艺相同；