[发明专利]清洁组合物及清洗方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种清洁组合物及清洗方法，且特别是有关于一种用于半导体处理的清洁组合物及清洗方法。

背景技术

在超大规模集成电路(VLSI)处理中，化学机械研磨(chemicalmechanical polishing，CMP)处理可提供晶片表面全面性的平坦化(globalplanarization)，尤其当半导体处理进入亚微型(sub-micron)领域后，化学机械研磨法更是一项不可或缺的处理技术。

在CMP处理的所有衡量效能的项目中，缺陷存在与否成为重要项目之一。化学机械研磨处理中的缺陷包括有机残留物、小颗粒、微刮痕及腐蚀等。举例而言，若在清洗步骤时，无法将因研磨后而在研磨垫或晶片上产生的残留物或污痕等污染物清洗干净，将会使得研磨垫的效能降低，进而影响到膜层移除率的均一性，且也会影响元件的电性效能。

在现有技术中，使用具有例如氢氧化四甲基氢铵(TMAH)的清洗液，以达到去除晶片表面的污染物的效果。然而，氢氧化四甲基氢铵具有毒性，在操作上存在危险性。因此，亟需一种可有效清除晶片表面残留污染物，且能维持晶片表面的平坦度并具操作安全性的清洗液。

发明内容

本发明提供一种清洁组合物及清洗方法。

本发明提供一种清洁组合物，其具有好的湿润能力及清洗效率。

本发明提供一种清洗方法，可使进行清洗的晶片具有好的表面轮廓。

本发明提供一种清洁组合物，此清洁组合物包括至少一多胺多羧酸或其盐类、至少一溶剂、至少一经取代或未经取代的苯乙胺以及水。其中，溶剂选自由二醇类所构成的族群。

在本发明的一实施例中，上述的多胺多羧酸例如是三胺五乙酸(triamine pentaacetic acid)。

在本发明的一实施例中，上述的三胺五乙酸例如是选自由乙三胺五乙酸(ethylene triamine pentaacetic acid)、二乙烯三胺五乙酸(diethylenetriamine pentaacetic acid)及三乙烯三胺五乙酸(triethylene triaminepentaacetic acid)所构成的族群。

在本发明的一实施例中，上述的多胺多羧酸的盐类例如是选自由碱金属盐、碱土金属盐及铵盐所构成的族群。

在本发明的一实施例中，上述多胺多羧酸或其盐类的含量相对于清洁组合物的总重例如是0.001重量％至10重量％。

在本发明的一实施例中，上述的溶剂例如是选自由2-甲氧基乙醇(2-methoxyethanol)、2-乙氧基乙醇(2-ethoxyethanol)、2-丙氧基乙醇(2-propoxyethanol)、2-异丙氧基乙醇(2-isopropoxyethanol)、2-丁氧基乙醇(2-butoxyethanol)、2-苯氧基乙醇(2-phenoxyethanol)、2-(2-甲氧基乙氧基)乙醇(2-(2-methoxyethoxy)ethanol)、2-(2-乙氧基乙氧基)乙醇(2-(2-ethoxyethoxy)ethanol)、2-(2-丁氧基乙氧基)乙醇(2-(2-butoxyethoxy)ethanol)、2-异丁氧基乙醇(2-isobutoxyethanol)、1，2-丙二醇(1，2-propylene glycol)、1，3-丙二醇(1，3-propylene glycol)、二乙二醇(diethylene glycol)、三乙二醇(triethylene glycol)、1，4-丁二醇(1，4-butanediol)、1，5-戊二醇(1，5-pentanediol)、1，6-己二醇(1，6-hexanediol)、1，7-庚二醇(1，7-heptanediol)、2，3-二甲基-2，3-丁二醇(2，3-dimethyl-2，3-butanediol)及其衍生物所构成的族群。

在本发明的一实施例中，上述溶剂的含量相对于清洁组合物的总重例如是0.001重量％至10重量％。

在本发明的一实施例中，上述经取代或未经取代的苯乙胺包括由一般式(1)表示的化合物，其：

一般式(1)

其中R₂、R₃、R₄、R₅、R^α、R^β及R_N各自独立为氢原子、羟基、烷基或羟烷基。