[发明专利]基准电压发生器和相应的集成电路无效

专利信息
申请号: 201210527535.5 申请日: 2012-12-05
公开(公告)号: CN103853229A 公开(公告)日: 2014-06-11
发明(设计)人: 宋振宇;孙俊岳 申请(专利权)人: 艾尔瓦特集成电路科技(天津)有限公司
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 酆迅;辛鸣
地址: 300457 天津市塘沽区经济*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 基准 电压 发生器 相应 集成电路
【权利要求书】:

1.一种基准电压发生器,包括:

电流镜,连接在输入电压与地之间,包括源电流支路和镜像电流支路;

电阻性元件,串联连接在所述源电流支路中;以及

稳压元件,串联连接在所述镜像电流支路中,其中所述镜像电流支路中产生的镜像电流可操作以满足所述稳压元件的工作电流要求,所述稳压元件的一端作为基准电压输出端。

2.根据权利要求1所述的基准电压发生器,其中所述电流镜包括连接在所述源电流支路中的第一晶体管和连接在所述镜像电流支路中的第二晶体管。

3.根据权利要求2所述的基准电压发生器,其中所述第一晶体管和所述第二晶体管均是PMOS管,第一PMOS管的源极和第二PMOS管的源极连接到所述输入电压,所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极连接在一起,所述第一PMOS管的栅极和漏极相连接,所述电阻性元件的一端连接到所述第一PMOS管的漏极并且所述电阻性元件的另一端接地,所述稳压元件的一端连接到所述第二PMOS管的漏极并且所述稳压元件的另一端接地。

4.根据权利要求2或3所述的基准电压发生器,其中所述第二PMOS管的宽度是所述第一PMOS管的宽度的1至10倍。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的基准电压发生器,其中所述电阻性元件包括一个电阻或一个NMOS管。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的基准电压发生器,其中所述稳压元件包括一个齐纳管或者一个二极管。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的基准电压发生器,还包括一个放大电路,所述放大电路的一个输入端与所述稳压元件的所述一端连接,所述放大电路的输出端作为所述基准电压输出端。

8.根据权利要求7所述的集成电路,其中所述输入电压是7V至100V中的任一预定值。

9.一种集成电路,包括根据权利要求1至8中任一项所述的基准电压发生器。

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