[发明专利]氧化物薄膜晶体管制程方法有效
| 申请号： | 201210528281.9 | 申请日： | 2012-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN103050441A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 吴德峻 | 申请（专利权）人： | 华映视讯（吴江）有限公司;中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L29/786;G03F7/00 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 215217 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物 薄膜 晶体 管制 方法 | ||
1.一种制作氧化物薄膜晶体管的方法，其特征在于，包含：
提供一基板；
形成一栅极于该基板上；
形成一半导体绝缘层于该栅极上；
形成一金属氧化物层于该半导体绝缘层上；
形成一第一图案化光阻层于该金属氧化物层上，其中是利用一灰阶光罩形成该第一图案化光阻层；
利用该第一图案化光阻层为罩幕蚀刻该金属氧化物层来形成一图案化金属氧化物层；
移除部分该第一图案化光阻层来形成一第二图案化光阻层；
形成一金属层于该半导体绝缘层、该图案化金属氧化物层以及该第二图案化光阻层上；
形成一第三图案化光阻层于该金属层上；
以该第三图案化光阻层为罩幕，对该金属层进行蚀刻以形成一源极区与一漏极区，并暴露出该第二图案化光阻层；以及
移除该第三图案化光阻层以及部分该第二图案化光阻层来形成一第四图案化光阻层。
2.如权利要求1所述的制作氧化物薄膜晶体管的方法，其特征在于，还包括：形成一接触洞层于该金属层以及该第四图案化光阻层上，以及于该源极区和该漏极区形成一奥姆接触。
3.如权利要求1所述的制作氧化物薄膜晶体管的方法，其特征在于，该第一图案化光阻层具有一第一厚度以及一第二厚度，其中该第一厚度大于该第二厚度。
4.如权利要求3所述的制作氧化物薄膜晶体管的方法，其特征在于，该金属氧化物层对应该第一厚度的位置作为一信道区，该金属氧化物层对应该第二厚度的位置作为该源极区与该漏极区。
5.如权利要求3所述的制作氧化物薄膜晶体管的方法，其特征在于，移除部分该第一图案化光阻层来形成该第二图案化光阻层，还包括将该第一图案化光阻移除该第二厚度，来形成一具有一第三厚度的该第二图案化光阻层，其中该第三厚度大于该第二厚度，该金属氧化物层对应该第三厚度的位置作为该信道区。
6.如权利要求5所述的制作氧化物薄膜晶体管的方法，其特征在于，该第一厚度、该第二厚度以及该第三厚度间具有3:1:2的厚度比值。
7.如权利要求6所述的制作氧化物薄膜晶体管的方法，其特征在于，该第四图案化光阻层具有一第四厚度，该金属氧化物层对应该第四厚度的位置作为该信道区。
8.如权利要求7所述的制作氧化物薄膜晶体管的方法，其特征在于，该第一厚度、该第三厚度和该第四厚度的比值约为3:2:1
9.如权利要求1所述的制作氧化物薄膜晶体管的方法，其特征在于，对该金属层进行蚀刻是使用一湿式蚀刻法对该金属层进行蚀刻。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华映视讯（吴江）有限公司;中华映管股份有限公司，未经华映视讯（吴江）有限公司;中华映管股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
