[发明专利]晶圆中缺陷定位的方法

权利要求书

1.一种晶圆中缺陷定位的方法，包括：

步骤A：在所述晶圆上形成第一标记，并通过缺陷扫描机台扫描晶圆获得晶圆缺陷扫描图像，其中，所述第一标记在晶圆缺陷扫描图像以及由样品制作机台显示的晶圆形貌图像中可见；

步骤B：在所述样品制作机台中根据所述第一标记对晶圆中的缺陷进行定位。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一标记为在预定的时间段内消退的临时标记。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤A中，通过使用电子束对所述晶圆的预定位置进行第一预定时间的扫描，以在所述晶圆上形成第一标记。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一标记的个数为至少一个。

5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述形成第一标记的电子束能量为500ev至2kev，电流为40nA至200nA，所述第一预定时间大于等于120秒。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一标记包含用于体现位置信息和/或方向信息的图形，且在步骤B中利用所述第一标记的图形中所体现的位置信息和/或方向信息实现定位，并通过定位得到缺陷的具体位置和/或缺陷所在的位置范围。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述步骤B中进一步包括在所述样品制作机台中根据所述第一标记形成永久性的第二标记，根据第二标记对晶圆中的缺陷进行定位。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述样品制作机台为聚焦离子束机台，通过所述聚焦离子束机台利用离子束对晶圆进行刻蚀以形成所述第二标记。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第二标记包含用于体现位置信息和/或方向信息的图形，且在步骤B中利用所述第二标记的图形中所体现的位置信息和/或方向信息实现定位，并通过定位得到缺陷的具体位置和/或缺陷所在的位置范围。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述形成第二标记的离子束能量为30kv，电流为10pA至30pA。