[发明专利]一种高介电常数X8R型电容器陶瓷材料及其制备方法有效
申请号: | 201210528942.8 | 申请日: | 2012-12-11 |
公开(公告)号: | CN102992756A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 刘韩星;归冬云;孙玥;郝华;曹明贺;余志勇;郭丽玲;尧中华;黄雪琛 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
主分类号: | C04B35/468 | 分类号: | C04B35/468;C04B35/622 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 唐万荣 |
地址: | 430070 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 介电常数 x8r 电容器 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于电子元器件的陶瓷材料技术,具体涉及一种高介电常数X8R型电容器陶瓷材料及其制备方法。
背景技术
多层陶瓷电容器(MLCC)是当今电子系统中一类重要电子元器件,主要用于各类电子产品中的振荡、耦合、滤波等电路。并且在航空航天电子设备、坦克电子设备等军用电子设备上也有着越来越广泛的用途。目前广泛应用的MLCC电介质陶瓷研究体系主要包括3类,即铅基复合钙钛矿体系、钨青铜结构体系、钛酸钡体系,其中X7R电容器以钛酸钡体系为主。但BaTiO3居里温度偏低(125℃左右),因此在高于125℃的条件下很难满足容温变化率(ΔC/C≤±15%)的要求。而航空航天、汽车工业、军用移动通讯等特殊领域要求MLCC的工作温度上限在150℃以上。因此必须通过掺杂、工艺优化、微观结构控制等方式改善BaTiO3的介温特性,以获得更理想的电容温度稳定性。
当前,国内外对BaTiO3基MLCC介质陶瓷展开大量研究,其中满足X7R条件的BaTiO3-Nb2O5-CO3O4 瓷料已经成功用于Pd 或Ag30-Pd70电极MLCC的商业化生产【H. Chazono and H. Kishi, Sintering Characteristics in BaTiO3–Nb2O5–Co3O4 Ternary System: I, Electrical Properties and Microstructure, J. Am. Ceram. Soc., 82[10] 2689-97 (1999) 】。满足X8R条件的陶瓷材料的研究也逐渐趋于成熟,其中 BaTiO3 - MgO - MnO2 - M2O3 (Er2O3、Yb2O3、Lu2O3)体系,在还原气氛下烧结,可获得满足 X8R 性能的陶瓷材料【H. Song Young and H. Han Young, Effects of Rare-Earth Oxides on Temperature Stability of Acceptor-Doped BaTiO3, Jpn. J. Appl. Phys., 44[8] 6143-47 (2005)】。
Na0.5Bi0.5TiO3通常被作为一种典型的无铅压电材料进行研究,由于其高的居里温度(Tc=320℃)且具有与BaTiO3类似的钙钛矿结构,可作为BaTiO3陶瓷材料的改性剂,所获得的BaTiO3-Na0.5Bi0.5TiO3体系陶瓷材料表现出一定的介电弥散性,使介电峰得到展宽,且将体系的高温居里峰右移,提高了使用温度上限,使其具有高温稳定性。
稀土元素掺杂对BaTiO3的改性作用非常明显,尤其对介电性能(介温特性、电阻率、介电损耗、居里点)与微观结构(晶粒尺寸、相组成、核壳结构、元素分布)有着显著影响。由于稀土元素R3+离子的离子半径与化学性质介于Ti4+离子和Ba2+离子之间,既可以取代BaTiO3中A位的Ba2+,也可以取代B位的Ti4+,稀土元素随着离子半径的减小,占据BaTiO3中的位置由A位向B位转移;而中间大小的稀土元素则可以同时占据A位和B位。
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