[发明专利]近红外-可见光可调图像传感器有效
| 申请号： | 201210529104.2 | 申请日： | 2012-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN103000650A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 王鹏飞;刘昕彦;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 红外 可见光 可调 图像传感器 | ||
1. 一种近红外-可见光可调图像传感器，其特征在于，包括：
一个具有p型掺杂类型的硅衬底；
在所述硅衬底上形成的硅基光电二极管；
在所述硅衬底上形成的锗化硅基光电二极管；
在所述硅衬底内、所述硅基光电二极管与所述锗化硅基光电二极管之间形成的第一晶体管与第二晶体管；
在所述硅衬底之上、所述第一晶体管与所述第二晶体管之间形成的一个作为电荷存储节点的具有导电性的浮动节点。
2. 根据权利要求1所述的近红外-可见光可调图像传感器，其特征在于，所述第一晶体管的源区与所述硅基光电二极管的n型掺杂区域相连。
3. 根据权利要求1所述的近红外-可见光可调图像传感器，其特征在于，所述第二晶体管的源区与所述锗化硅基光电二极管的n型掺杂区域相连。
4. 根据权利要求1所述的近红外-可见光可调图像传感器，其特征在于，所述第一晶体管与所述第二晶体管共用一个漏区，且所述漏区与所述浮动节点相连。
5. 一种如权利要求1所述的近红外-可见光可调图像传感器的制造方法，其特征在于，具体步骤包括：
对提供的具有p型掺杂类型的硅衬底进行刻蚀以形成用于形成锗化硅基光电二极管的区域；
在所形成的用于形成锗化硅基光电二极管的区域内外延生长一层锗化硅；
在所提供的硅衬底以及所形成的锗化硅外延层内分别形成第一n型掺杂区和第二n型掺杂区；
在所述第一n型掺杂区、第二n型掺杂区以及所述第一n型掺杂区与所述第二n型掺杂区之间的硅衬底内分别形成重掺杂的第一n型源区、第二n型源区和n型漏区；
在所形成结构的表面形成一层栅氧化层；
刻蚀所述栅氧化层露出所述n型漏区；
在所述第一n型源区与n型漏区之间的栅氧化层之上、所述第二n型源区与n型漏区之间的栅氧化层之上形成导电层并在所述露出的n型漏区的表面形成作为电荷存储节点的具有导电性的浮动节点。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
