[发明专利]异质结太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：

提供基片，所述基片为第一掺杂类型单晶硅片；

在所述基片上表面形成第一应力层，并进行退火处理，所述第一应力层的应力类型与基片的掺杂类型相对应；

去除所述第一应力层；

在所述基片上表面形成本征非晶硅层；

在所述本征非晶硅层表面形成第二应力层，并进行退火处理；

去除所述第二应力层；

在所述本征非晶硅层表面形成第二掺杂类型非晶硅层；

在所述第二掺杂类型非晶硅层表面形成透明导电层；

在所述透明导电层表面形成第一电极；

在所述基片下表面形成第二电极。

2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述基片为P型单晶硅片，所述第一应力层具有压应力，所述第二掺杂类型非晶硅层为N型层；或者所述基片为N型单晶硅片，所述第一应力层具有张应力，所述第二掺杂类型非晶硅层为P型层。

3.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述具有压应力的应力层的形成方法包括：采用等离子体增强化学气相沉积工艺，其中，NH₂和SiH₄作为反应气体，惰性气体作为载气，反应温度为200℃~500℃，反应压强为100mTorr~200mTorr，并且提供一个功率为10W～100W，频率为50KHz~500kHz的低频功率源。

4.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述具有张应力的应力层的形成方法包括：采用等离子体增强化学气相沉积工艺，其中，NH₂和SiH₄作为反应气体，惰性气体作为载气，反应温度为200℃~500℃，反应压强为100mTorr~200mTorr，并且提供一个功率为10W～100W，频率为10MHz~15MHz的射频功率源。

5.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述第二应力层具有压应力或张应力。

6.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述第一应力层和第二应力层的形成工艺包括热化学气相沉积或等离子体增强化学气相沉积。

7.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述第一应力层和第二应力层包括氮化硅薄膜或氧化硅薄膜，所述第一应力层和第二应力层的厚度为0.5nm~100nm，应力的数值范围为200MPa~1000MPa。

8.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述退火处理的工艺为快速热退火工艺，退火的温度范围为200℃～800℃。

9.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述去除第一应力层和第二应力层的工艺为干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺。

10.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于，还包括，在形成本征非晶硅层之前，先在所述基片表面形成隧穿氧化层，所述隧穿氧化层的厚度范围为所述隧穿氧化层的材料为氧化硅。

11.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于，还包括，在形成所述透明导电层之前，在第二掺杂类型非晶硅层表面形成第二应力层，所述第二应力层的应力类型与第二掺杂类型非晶硅层的掺杂类型相对应，退火后去除所述第二应力层。

12.根据权利要求11所述的异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述第二掺杂类型非晶硅层为P型层，则所述第二应力层具有张应力；或者所述第二掺杂类型非晶硅层为N型层，则所述第二应力层具有压应力。

13.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于，还包括，在形成第二电极之前，在所述基片下表面依次形成第一掺杂类型重掺杂非晶硅层和位于所述第一掺杂类型重掺杂非晶硅层表面的第二透明导电层。