[发明专利]非晶硅薄膜太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种非晶硅薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：

提供基板；

在所述基板的表面形成第一电极层；

在所述第一电极层表面形成第一掺杂类型非晶硅层；

在所述第一掺杂类型非晶硅层表面形成本征非晶硅层；

在所述本征非晶硅层表面形成第二掺杂类型非晶硅层；

在所述第二掺杂类型非晶硅层表面形成应力层，所述应力层的应力类型与第二掺杂类型非晶硅层的掺杂类型相对应；

在所述应力层表面形成第二电极层。

2.根据权利要求1所述的非晶硅薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述第一掺杂类型非晶硅层为P型层，第二掺杂类型非晶硅层为N型层，并且所述应力层具有张应力。

3.根据权利要求1所述的非晶硅薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述第一掺杂类型非晶硅层为N型层，第二掺杂类型非晶硅层为P型层，并且所述应力层具有压应力。

4.根据权利要求2所述的非晶硅薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述具有张应力的应力层的形成方法包括：采用等离子体增强化学气相沉积工艺，其中，NH₂和SiH₄作为反应气体，惰性气体作为载气，反应温度为200℃~500℃，反应压强为100mTorr~200mTorr，并且提供一个功率为10W~100W，频率为10MHz~15MHz的射频功率源。

5.根据权利要求3所述的非晶硅薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述具有压应力的应力层的形成方法包括：采用等离子体增强化学气相沉积工艺，其中，NH₂和SiH₄作为反应气体，惰性气体作为载气，反应温度为200℃~500℃，反应压强为100mTorr~200mTorr，并且提供一个功率为10W~100W，频率为50KHz~500kHz的低频功率源。

6.根据权利要求1所述的非晶硅薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述应力层包括氮化硅薄膜或氧化硅薄膜。

7.根据权利要求1所述的非晶硅薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述应力层的形成工艺包括热化学气相沉积或等离子体增强化学气相沉积。

8.根据权利要求1所述的非晶硅薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述应力层的厚度为0.5nm~100nm，应力的数值范围为200MPa~1000MPa。

9.根据权利要求1所述的非晶硅薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，还包括：在应力层表面形成抗反射层之后，再在所述抗反射层表面形成第二电极层。

10.根据权利要求1所述的非晶硅薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，还包括：在第二掺杂类型非晶硅层表面形成抗反射层后，再在所述抗反射层表面形成应力层。

11.根据权利要求1所述的非晶硅薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述第一掺杂类型非晶硅层的厚度范围为所述第二掺杂类型非晶硅层的厚度范围为本征非晶硅层的厚度范围为10nm~500nm。

12.一种非晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于，包括：

基板；

位于所述基板表面的第一电极层；

位于所述第一电极层表面的第一掺杂类型非晶硅层；

位于所述第一掺杂类型非晶硅层表面的本征非晶硅层；

位于所述本征非晶硅层表面的第二掺杂类型非晶硅层；

位于所述第二掺杂类型非晶硅层表面的应力层，所述应力层的应力类型与第二掺杂类型非晶硅层的掺杂类型相对应；

位于所述应力层表面的第二电极层。

13.根据权利要求12所述的非晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂类型非晶硅层为P型层，第二掺杂类型非晶硅层为N型层，并且所述应力层具有张应力。

14.根据权利要求12所述的非晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂类型非晶硅层为N型层，第二掺杂类型非晶硅层为P型层，并且所述应力层具有压应力。

15.根据权利要求12所述的非晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于，所述应力层包括氮化硅薄膜或氧化硅薄膜。