[发明专利]用于LED面光源的陶瓷基板的表面处理工艺

权利要求书

1.一种用于LED面光源的陶瓷基板的表面处理工艺，包括以下步骤：

(1)用去离子水清洗表面具有固定LED芯片和键合线区域的陶瓷基板，然后在80~120℃温度下烘干；

(2) 在等离子清洗机中对步骤(1)得到的陶瓷基板进行射频处理，射频功率为150~250W，Ar气流量为20~35 SCCM，处理时间1~3min；

(3) 将硅胶、扩散粉、抗沉淀粉和荧光粉以1：2~5：0.01~0.08：0.02~0.15的重量比混合，在真空脱泡搅胶机中搅拌5~10min；

(4) 在经步骤(2)处理的陶瓷基板上覆盖掩模板，利用掩模板遮盖住固定LED芯片和键合线区域，将步骤(3)得到的混合物涂布在有掩模板的陶瓷基板上；

(5) 揭去掩模板，将陶瓷基板置于80～150℃的烘箱中烘烤2~5h，得到涂布了反光层的用于LED面光源的陶瓷基板。

2.根据权利要求1所述的用于LED面光源的陶瓷基板的表面处理工艺，其特征在于所述的陶瓷基板为氧化铝、氮化铝、氧化锆和氧化硅中的一种或几种。

3.根据权利要求2所述的用于LED面光源的陶瓷基板的表面处理工艺，其特征在于所述的陶瓷基板上有镀Ag层。

4.根据权利要求1所述的用于LED面光源的陶瓷基板的表面处理工艺，其特征在于所述的扩散粉为TiO₂、ZrO₂、Al₂O₃和有机硅树脂微球中的一种或几种。

5.根据权利要求1所述的用于LED面光源的陶瓷基板的表面处理工艺，其特征在于所述的抗沉淀粉为SiO₂、BaSO₄和CaCO₃中的一种或几种。

6.根据权利要求1所述的用于LED面光源的陶瓷基板的表面处理工艺，其特征在于所述的荧光粉为钇铝石榴石、铽铝石榴石、镥铝石榴石、硅酸盐、氮化物和氮氧化物中的一种或几种。

7.根据权利要求1所述的用于LED面光源的陶瓷基板的表面处理工艺，其特征在于所述的涂布为丝网印刷、喷涂、辊涂或刷涂。