[发明专利]射频横向双扩散场效应晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种射频横向双扩散场效应晶体管，包括P型衬底，在所述P型衬底上生长P型外延层，在所述P型外延层中形成轻掺杂漂移区，在所述P型外延层上方设置有第一层法拉第盾及第二层法拉第盾，其特征在于，所述第一层法拉第盾及第二层法拉第盾为多晶硅法拉第盾。

2.如权利要求1所述的射频横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，还包括位于所述P型外延层上方的栅极氧化层及多晶硅栅，位于所述P型外延层中的利用离子注入和扩散工艺分别形成的P阱、P+区域、N+源区及N+漏区，及P型多晶硅塞或金属塞结构。

3.如权利要求3所述的射频横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述第一层法拉第盾处于所述多晶硅栅正上方的部分长度为0.1-0.3微米。

4.如权利要求3所述的射频横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述第二层法拉第盾处于所述多晶硅栅正上方的部分长度为0-0.3微米。

5.一种如权利要求1所述晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

步骤1、在P型衬底上生长P型外延层；经栅极氧化层生长后，淀积多晶硅，通过光刻板定义并刻蚀出多晶硅栅，在刻蚀完成后，进行一步较高能量的轻掺杂LDD的N型离子注入，形成轻掺杂漂移区；

步骤2、P阱的形成；

步骤3、P+区域、N+源区及N+漏区的形成；

步骤4、在所述P型外延层上整体淀积一层二氧化硅层，再淀积一层重掺杂的多晶硅，对所述多晶硅通过光刻刻蚀构成第一层法拉第盾；随后，在所述第一层法拉第盾上再整体淀积一层二氧化硅层，而后淀积一层重掺杂的多晶硅，对所述多晶硅通过光刻刻蚀构成第二层法拉第盾；

步骤5、P型多晶硅塞或金属塞结构的形成。

6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，步骤1中进行一步较高能量的轻掺杂LDD的N型离子注入，注入离子为磷或砷，能量为50-300keV，剂量为5e¹¹-4e¹²cm^-2。

7.如权利要求5所示的制造方法，其特征在于，步骤2中所述P阱的形成有两种方式，一种是在多晶硅栅形成前通过注入与高温推进形成，另一种是通过自对准工艺加高温推进形成。

8.如权利要求7所示的制造方法，其特征在于，所述P阱，注入离子为硼，能量为30-80keV，剂量为1e¹²-1e¹⁴cm^-2。

9.如权利要求1所示的制造方法，其特征在于，步骤3中所述N+源区及N+漏区的形成，注入离子为磷或砷，能量为0-200keV，剂量为1e¹³-1e¹⁶cm^-2，所述P+区域的形成，注入离子为硼或二氟化硼，能量为0-100keV，剂量为1e¹³-1e¹⁶cm^-2。

10.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，步骤4中所述第一层法拉第盾，其长度为0.5-1.5微米，厚度为800-2500A，杂质为磷或砷，掺杂浓度为5e¹⁸-1e²⁰cm^-3；所述第二层法拉第盾，其长度为1.5-2.5微米，厚度为800-2500A，杂质为磷或砷，掺杂浓度为5e¹⁸-1e²0cm^-3。