[发明专利]射频横向双扩散场效应晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种射频横向双扩散场效应晶体管，包括P型衬底，在所述P型衬底上生长P型外延层，在所述P型外延层中形成轻掺杂漂移区，在所述P型外延层上方设置有第一层法拉第盾及第二层法拉第盾，其特征在于，在所述轻掺杂漂移区中还包括两块第二次NLDD注入区域，分别位于所述第一层法拉第盾及所述第二层法拉第盾的下方。

2.如权利要求1所述的射频横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，还包括位于所述P型外延层上方的栅极氧化层及多晶硅栅，位于所述P型外延层中的利用离子注入和扩散工艺分别形成P阱、P+区域、N+源区及N+漏区，及P型多晶硅塞或金属塞结构。

3.如权利要求1所述的射频横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述位于所述第一层法拉第盾下方的第二次NLDD注入区域，长度为0-0.8微米。

4.如权利要求1所述的射频横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述位于所述第二层法拉第盾下方的第二次NLDD注入区域，长度为0-0.95微米。

5.一种如权利要求1所述晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

步骤1、在P型衬底上生长P型外延层；经栅极氧化层生长后，淀积多晶硅，通过刻板定义并刻蚀出多晶硅栅，在刻蚀完成后，进行一步较高能量的轻掺杂LDD的N型离子注入，形成轻掺杂漂移区；

步骤2、通过光刻定义并进行离子注入形成两块第二次NLDD注入区域，所述两块第二次NLDD注入区域位于所述轻掺杂漂移区中并分别位于两层法拉第盾下方的区域；

步骤3、P阱的形成；

步骤4、P+区域、N+源区及N+漏区的形成；

步骤5、第一层法拉第盾、第二层法拉第盾及P型多晶硅塞或金属塞结构的形成。

6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，步骤1中进行一步较高能量的轻掺杂LDD的N型离子注入，注入离子为磷或砷，能量为50-300keV，剂量为5e¹¹-4e¹²cm^-2。

7.如权利要求5所示的制造方法，其特征在于，步骤2中所述进行离子注入形成两块第二次NLDD注入区域，注入离子为磷或砷，注入能量范围为50-300KeV，注入剂量范围为5e¹¹-4e¹²cm^-2。

8.如权利要求5所示的制造方法，其特征在于，步骤3中所述P阱的形成有两种方式，一种是在多晶硅栅形成前通过注入与高温推进形成，另一种是通过自对准工艺加高温推进形成。

9.如权利要求8所示的制造方法，其特征在于，所述P阱，注入离子为硼，能量为30-80keV，剂量为1e¹²-1e¹⁴cm^-2。

10.如权利要求1所示的制造方法，其特征在于，步骤4中所述N+源区及N+漏区的形成，注入离子为磷或砷，能量为0-200keV，剂量为1e¹³-1e¹⁶cm^-2，所述P+区域的形成，注入离子为硼或二氟化硼，能量为0-100keV，剂量为1e¹³-1e¹⁶cm^-2。