[发明专利]一种IGBT及其制作方法无效
| 申请号： | 201210530076.6 | 申请日： | 2012-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN103872111A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 谈景飞;朱阳军;胡爱斌;张文亮;王波 | 申请（专利权）人： | 上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 及其 制作方法 | ||
1.一种IGBT，其特征在于，包括：
半导体衬底；
位于所述半导体衬底上表面的栅极结构；
位于所述半导体衬底上表面内的阱区、源区和浅阱区，其中，所述阱区内设置有源区，所述阱区、源区以及浅阱区的上表面与所述半导体衬底的上表面齐平，所述阱区和所述浅阱区不接触且掺杂类型相同；
位于所述阱区、浅阱区和源区表面上的源极；
位于所述半导体下表面的背面结构，所述背面结构包括集电区。
2.根据权利要求1所述的IGBT，其特征在于，所述栅极结构包括：第一子栅极以及第二子栅极，所述第一子栅极以及第二子栅极存在间隙。
3.根据权利要求1所述的IGBT，其特征在于，所述浅阱区的长度为0.5μm-2μm。
4.根据权利要求3所述的IGBT，其特征在于，所述浅阱区深度为0.5μm-1.5μm。
5.根据权利要求1所述的IGBT，其特征在于，所述背面结构还包括：
位于所述集电区下表面的集电极。
6.根据权利要求5所述的IGBT，其特征在于，所述背面还包括：位于所述集电区上表面的缓冲层，所述缓冲层的掺杂类型与所述半导体衬底的掺杂类型相同，且所述缓冲层的掺杂浓度大于所述半导体衬底的掺杂浓度。
7.一种IGBT的制作方法，其特征在于，包括：
提供一半导体衬底；
在所述半导体衬底上表面形成栅极结构；
在所述半导体衬底上表面内形成阱区、源区和浅阱区，其中，所述源区位于所述阱区表面内，所述阱区、源区以及浅阱区的上表面与所述半导体衬底的上表面齐平，所述阱区和所述浅阱区不接触且掺杂类型相同；
在所述阱区、浅阱区和源区表面形成源极；
在所述半导体下表面形成背面结构，所述背面结构包括集电区。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述浅阱区形成过程包括：
对所述半导体衬底进行离子注入，形成掺杂区；
经过退火，使所述掺杂区内的杂质离子扩散，形成设定宽度及深度的浅阱区。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述离子注入的注入剂量为1.0×1012cm-2-1.0×1013cm-2。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述离子注入的注入能量大于零，且小于40keV。
11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，退火温度为800℃-1000℃。
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