[发明专利]一种取向层形成方法在审
| 申请号： | 201210530238.6 | 申请日： | 2012-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN103869540A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 董霆;张洪林;张洪术 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1337 | 分类号： | G02F1/1337 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 张颖玲;张振伟 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 取向 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种取向层形成方法，其特征在于，该方法包括：
应用超高速脉冲激光器对基板上的有机高分子层进行脉冲轰击，以在所述有机高分子层上形成凹槽；将包含所述凹槽的所述有机高分子层作为取向层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述超高速脉冲激光器为飞秒脉冲激光器。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述有机高分子层为PI层。
4.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，所述应用超高速脉冲激光器对基板上的有机高分子层进行脉冲轰击的方法为：
应用超高速脉冲激光器对基板上的有机高分子层的表面进行脉冲轰击。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进行所述脉冲轰击之前，该方法还包括：
在所述基板上形成所述有机高分子层，并对该有机高分子层进行预固化与固化。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述超高速脉冲激光器与基板的表面距离12～30cm。
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