[发明专利]一种磷掺杂氧化锌薄膜的制备方法有效
申请号: | 201210530408.0 | 申请日: | 2012-12-10 |
公开(公告)号: | CN103866264B | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 张阳;卢维尔;董亚斌;解婧;李超波;夏洋 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | C23C16/40 | 分类号: | C23C16/40;C23C16/44 |
代理公司: | 北京华沛德权律师事务所11302 | 代理人: | 刘丽君 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 掺杂 氧化锌 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种磷掺杂氧化锌薄膜的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
原子层沉积设备通入含锌源气体和第一含氧源气体,在所述原子层沉积设备反应腔中的硅衬底表面生长氧化锌薄膜;所述硅衬底的表面预先采用RCA标准清洗法进行清洗,在所述硅衬底表面形成硅醇键;
所述原子层沉积设备通入含磷源气体和第二含氧源气体,在所述氧化锌薄膜表面生长磷氧键;
所述含锌源气体的进气时间为0.1s-1s,反应时间为10s~60s;所述第一含氧源气体和第二含氧源气体的进气时间均为0.1s-1s,反应时间均为10s~60s;所述含磷源气体的进气时间为0.1s-1s,反应时间为10s~60s;所述原子层沉积设备采用的载气为氮气;所述氮气的流量为1sccm-1000sccm;所述原子层沉积设备反应腔中用于承载硅衬底的基盘的温度为50℃-400℃。
2.如权利要求1所述的磷掺杂氧化锌薄膜的制备方法,其特征在于,所述含锌源气体为高挥发性、高纯度的有机锌化合物,包括二甲基锌或二乙基锌。
3.如权利要求1所述的磷掺杂氧化锌薄膜的制备方法,其特征在于,所述第一含氧源气体和第二含氧源气体均包括水蒸汽、臭氧或氧气。
4.如权利要求1所述的磷掺杂氧化锌薄膜的制备方法,其特征在于,所述含磷源气体为高挥发性、高纯度的有机磷化合物,包括三甲基磷或三乙基磷。
5.如权利要求1所述的磷掺杂氧化锌薄膜的制备方法,其特征在于,所述方法还包括:采用所述载气吹扫所述原子层沉积设备反应腔,载气吹扫时间为30s-90s。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的