[发明专利]半导体存储器测试方法和半导体存储器

说明书

技术领域

在此所讨论的实施例涉及一种半导体存储器测试方法和一种半导体存储器。

背景技术

以下取样擦除测试被作为一种半导体存储器擦除测试而提出。在此取样擦除测试中，找出对存储单元阵列中的一部分存储单元完成擦除所用的擦除脉冲的数目，并且基于所述擦除脉冲的数目在剩余区域中执行擦除。

以下擦除测试方法被作为一种电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）擦除测试方法而提出。在这种擦除测试方法中，在存储区域的一部分中重复擦除测试直到确定擦除被正常执行为止，基于重复的次数来设定擦除脉冲的宽度，并且通过使用所述脉冲宽度在剩余的大部分存储区域中执行擦除测试。

日本特许专利公开第08-31189号

日本特许专利公开第2000-207897号

日本特许专利公开第2001-273792号

假定通过在存储区域的一部分中执行擦除测试获得的擦除脉冲的数目或宽度被视为在存储区域的剩余部分中执行验证时的验证阈值。如果在达到此验证阈值之前对存储单元完成擦除，那么做出所述存储单元是正常的确定。

在存储区域的一部分中可能存在与其他存储单元相比需要长时间才能擦除的存储单元。在这种情况下，所获得的擦除脉冲的数目或宽度受所述存储单元所影响。结果，在存储区域的剩余部分中执行验证时验证标准放松，并且验证阈值变高。在这种情况下，原来就是坏的存储单元不能被检测出，并且半导体存储器的可靠性降低。

发明内容

根据一方面，提供一种半导体存储器测试方法，包括：通过将擦除脉冲施加到存储单元阵列中包括的并且被分成多个组的存储单元系列来执行第一擦除测试，直到出现被作出擦除完成的确定的组为止；以及基于在检测到首先被作出擦除完成的确定的组时的擦除脉冲数目来对包括所述存储单元系列在内的存储单元的其他系列执行第二擦除测试。

附图说明

图1是根据第一实施例的半导体存储器测试方法的示例；

图2是根据第一实施例的半导体存储器的示例；

图3是根据第二实施例的半导体存储器的示例；

图4是擦除测试的示例的流程图；

图5是在第一擦除测试中指定的扇区中的地址序列的示例；

图6指示就在第一擦除测试开始之后每个单元的状态；

图7是擦除验证的示例；

图8是用于擦除验证的确定标准的示例；

图9图示在所有组中检测未通过验证的单元时的状态；

图10是在第一擦除测试期间每个单元的状态的示例；

图11图示其中组中的块中作为擦除验证的对象的所有单元已通过验证的状态；

图12是第一擦除测试的示例的流程图；

图13是第二擦除测试的示例的流程图；

图14是验证和冗余处理的示例的流程图；以及

图15图示根据第二实施例的半导体存储器的修改。

具体实施方式

现在将参照附图来描述一种半导体存储器测试方法和一种半导体存储器的实施例，在附图中相同的参考数字始终指代相同的元件。

（第一实施例）

图1是根据第一实施例的半导体存储器测试方法的示例。

此外，图2是根据第一实施例的半导体存储器的示例。将首先描述图2。

半导体存储器1例如是非易失性存储器，诸如快闪存储器，并且包括存储核心2、命令生成电路3、测试控制电路4、操作控制电路5、地址控制器6、地址生成电路7，以及数据输入输出电路8。

存储核心2包括存储单元阵列2a、参考单元阵列2b、选择电路2c以及读写电路2d。

多个存储单元在存储单元阵列2a中被布置成矩阵的样子。参考单元阵列2b包括在测试时与存储单元阵列2a中所包括的存储单元（下文简称作“单元”）进行比较的参考单元。例如，流到参考单元的电流在擦除测试时与流到存储单元阵列2a中作为擦除测试的对象的存储单元的电流进行比较。选择电路2c根据所输入的地址来选择存储单元阵列2a中的单元，并且施加确定的电压。读写电路2d从所选单元读出数据或将数据写入到所选单元。

命令生成电路3响应于控制信号或从外部输入的地址而生成读取命令、写入命令、擦除命令、测试模式等。

测试控制电路4响应于由命令生成电路3指定的测试模式而执行写入测试、读取测试、擦除测试或类似测试。

响应于由命令生成电路3生成的命令或来自测试控制电路4的信号，操作控制电路5生成用于控制存储核心2的信号，并且将其供应到选择电路2c和读写电路2d。