[发明专利]缺陷检查方法

说明书

技术领域

本发明涉及检查半导体晶片的缺陷的缺陷检查方法。

背景技术

在半导体晶片工艺中的半导体晶片（以下还简称“晶片”）的质量管理、成品的管理/改善方法中，必须在半导体晶片工艺所包含的主要或重要的工序中实施晶片的缺陷检查，特定该晶片中的异物、缺陷，管理其转移情况，检出有问题的工艺，迅速地进行反馈等。

在晶片上存在着制作器件（将晶片单片化的芯片）时有可能影响其特性的缺陷，诸如在使用许多半导体制造装置、经过多个工序后形成的半导体晶片工艺中，净化车间内或各工艺使用的装置内的异物，或实施许多处理后在晶片上形成的伤痕，以及在晶片上形成图案时形成的图案不良等。这种缺陷成为成品率下降的主要原因。

另外，在基板缺陷较多的低品质晶片（例如碳化硅晶片（以下还称作“SiC晶片”）、氮化镓晶片（以下还称作“GaN晶片”））的半导体晶片工艺的缺陷检查中，出现漏检的缺陷即未能检出、消除所有的缺陷的可能性较大。因此，存在着使后道工序中的测试工序、可靠性工序的工作量（各工序所要求的条件）高达必要值以上、效率非常低的问题。这样，在半导体晶片工艺中使用SiC晶片、GaN晶片等晶片本身也存在很多缺陷的低品质晶片后，晶片本身的缺陷有可能影响器件的特性，成为成品率下降的主要原因。

另外，不能够在电气特性试验中挑出存在着有可能影响器件特性的缺陷的晶片（器件），在以后的可靠性试验中才能够挑出不良品时，就在经过许多工艺后形成的不良的器件上白白地花费时间及精力，使电气特性评价等检查工序的效率低下。

以往的技术是检查有无在晶片上形成的缺陷，在检出了缺陷的部位做出标记，从而判断器件的好坏（例如参照专利文献1）。

专利文献1：日本特开昭63－222438号公报。

为了提高半导体晶片工艺的成品率，需要高精度地检出影响器件特性的那种晶片及各工艺中的缺陷，根据检出结果早早地将其剔除，或者通过对于产生了缺陷的工艺进行的反馈控制来减少缺陷。因此，期待着能够以芯片为单位将通过缺陷检查而获得的缺陷信息作为电子数据掌握。

在专利文献1中，没有将通过缺陷检查而获得的结果作为电子数据看待。另外，没有进行上述对于低品质晶片本身而言的缺陷检查，晶片本身的缺陷有可能影响器件的特性，成为成品率下降的主要原因。

发明内容

本发明考虑上述问题而构思，其目的在于提供能以芯片单位掌握缺陷信息，即使是基板缺陷较多的低品质晶片也能够早早地检出缺陷，提高半导体晶片工艺的成品率的缺陷检查方法。

为了解决上述课题，依据本发明的缺陷检查方法，是检查半导体晶片的缺陷的缺陷检查方法，具备：（a）在检查对象的半导体晶片上，对于半导体晶片上的既定的芯片，形成与由该半导体晶片生成的芯片的尺寸对应的标记的工序；以及（b）在半导体晶片工艺的既定的工艺中，或者在半导体晶片工艺之前，进行半导体晶片的缺陷检查，将标记作为基准，识别缺陷信息的工序。

依据本发明，因为具备（a）在检查对象的半导体晶片上，对于半导体晶片上的既定的芯片，形成与由该半导体晶片生成的芯片的尺寸对应的标记的工序；以及（b）在半导体晶片工艺的既定的工艺中，或者在半导体晶片工艺之前，进行半导体晶片的缺陷检查，将标记作为基准，识别缺陷信息的工序，所以能以芯片单位掌握缺陷信息，即使是基板缺陷较多的低品质晶片也能够早早地检出缺陷，提高半导体晶片工艺的成品率。

例如依据本发明，在晶片工艺的各主要（任意）工序中实施缺陷检查（包含工艺前的晶片检查）后，能够检出各工艺中产生的异物、图案缺陷等，还能够在经过各工序的工序间取得该缺陷的差分。这样，在基板缺陷较多的低品质晶片中，也能够在进行测试工序之前的阶段通过缺陷检查早早地检出、消除可以视为致命缺陷的器件芯片，提高以后的测试工序及可靠性评价的效率，确立包含晶片工艺、器件电气特性评价、可靠性评价在内的整个器件制造中的有效率的工艺管理、消除、评价。

附图说明

图1是表示实施本发明的实施方式1涉及的半导体晶片工艺中的缺陷检查的一个例子的图；

图2是表示本发明的实施方式1涉及的半导体晶片中的缺陷检查结果的映像的一个例子的图；

图3是表示在本发明的实施方式1涉及的半导体晶片上形成的标记的一个例子的图；

图4是表示本发明的实施方式1涉及的进行多个缺陷检查时的缺陷检查结果的映像的一个例子的图。

具体实施方式

下面，参照附图，讲述本发明的实施方式。

（实施方式1）