[发明专利]基于氮的双受主共掺氧化锌薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201210530522.3 申请日: 2012-12-11
公开(公告)号: CN103866265A 公开(公告)日: 2014-06-18
发明(设计)人: 卢维尔;夏洋;李超波;解婧 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: C23C16/40 分类号: C23C16/40;H01L21/02
代理公司: 北京华沛德权律师事务所 11302 代理人: 刘丽君
地址: 100029 北京市*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 基于 双受主共掺 氧化锌 薄膜 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种基于氮的双受主共掺氧化锌薄膜的制备方法,其特征在于,包括:

将基片放入原子层沉积设备的反应腔室中;进行多组分的复合沉积;

所述复合沉积包括在锌源沉积之前引入一次As掺杂源的沉积和氧源沉积之前引入一次氮掺杂源的沉积;循环沉积该多组分复合体,得到原子层沉积制备的N-As的双受主共掺的氧化锌薄膜。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述基片是经过浓硫酸和双氧水处理,并经超纯水超声过的硅片、蓝宝石或玻璃,衬底表面带有羟基。

3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,

所述As掺杂源的沉积顺序是指在Zn源沉积之前、与Zn同时通入腔室进行沉积或先Zn源沉积之后沉积As掺杂源。

4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述复合沉积包括:

在真空环境下依次用As掺杂源、锌源、氮掺杂源和氧源进行沉积得到N-As双受主共掺的ZnO薄膜。

5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述As掺杂源、锌源、氮掺杂源和氧源在沉积室内暴露时间依次为0.08s、0.075s、5s、0.08s、50s,基片衬底温度为300℃。

6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,在每次沉积之后采用高纯氮气清洗沉积室。

7.根据权利要求1-6任一项所述的制备方法,其特征在于,所述锌源是含锌的烷基化合物或含锌的卤化物,所述氧源是水蒸汽或氧气等离子体;所述氮掺杂源为N2O、N2、NO、NO2或NH3等离子体,所述As掺杂源是含As的烷基化物、含As的氢化物或含As的卤化物。

8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述含锌的卤化物是氯化锌ZnCl2,所述含锌的烷基化合物是二乙基锌Zn(C2H5)2或二甲基锌Zn(CH3)2,所述含As的烷基化物是甲基砷As(CH3)3或三乙基砷As(CH2CH3)3,所述含As的氢化物是氢化砷AsH3

9.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,还包括:

通过控制所述的氮掺杂源与水的通气时间来调节掺杂氧化锌薄膜中氮掺杂源与氧的比例;通过控制As掺杂源与锌源的通气时间来调节掺杂氧化锌薄膜中As掺杂与锌的比例。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210530522.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top