[发明专利]氯硅烷残液处理工艺

权利要求书

1.一种氯硅烷残液处理工艺，其特征在于处理步骤如下：

用泵将氯硅烷残液以200-300kg/h的流量均匀泵入表面蒸发器顶部；

表面蒸发器温度控制在60-90℃,压力控制在0.02-0.08Mpa(G)，物料停留时间 2-8分钟，由表面蒸发器热媒夹套内130-150℃热媒提供热量；

表面蒸发器回收氯硅烷气体；

蒸发后的残液进入螺旋蒸发器进行二次蒸发，物料停留时间2-8分钟，得到190-295kg/h氯硅烷气体；

将上述氯硅烷气体送入热媒夹套过滤器保温，温度为80-100℃，物料停留时间5-10分钟，过滤器持续保温；

将保温后的氯硅烷气体送入一级换热器冷凝，用32℃±2℃冷却水冷却；

将通过一级换热器后，不凝的氯硅烷气体送入二级换热器，用-30℃±5℃冷媒冷凝后即得氯硅烷产品。