[发明专利]一种需要背镀金属的LED芯片的分裂方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种需要背镀金属的LED芯片的分裂方法，属于LED生产领域。

背景技术

    随着LED技术的发展，人们对LED芯片的亮度要求也越来越高，目前常用的提供大尺寸LED芯片亮度的方法是将LED芯片的背面背镀一层金属，通过增加反射，从而提高芯片的亮度。芯片的生产过程中，需要一个将芯片分解的过程，以往的工艺，是减薄完后，先将芯片背面背镀上金属，然后再进行划片裂片工艺，但是由于背镀金属不透明，因此增加了划片校准时的难度，往往会出现划至管芯上，从而降低了芯片的良率，增加了生产成本。

 

发明内容

本发明针对现有技术存在的不足，提供一种需要背镀金属的LED芯片的分裂方法。    

本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种需要背镀金属的LED芯片的分裂方法，其方法步骤为：

（1）             将减薄完后未背镀金属的LED芯片，电极一面朝上放置在贴膜机上，用不干胶膜贴至铁环上；

（2）             将防划保护铝片放置在贴完后的芯片上，使芯片位于防划保护铝片的正中央；

（3）             将放置防划保护铝片的芯片连同铁环，放置划片机的工作平台上；

（4）             打开划片机，将芯片的背面沿着芯片电极的切割道划出一道道沟槽；

（5）             取出划完后的芯片，将芯片上的不干胶膜撕下；

（6）             将芯片传至蒸镀机上，对芯片进行蒸镀背镀金属；

（7）             将背镀完后的芯片，背面朝上，贴到铁环上；

（8）             将贴完膜的芯片放置裂片机上，对其裂片。

进一步的，所述划片后的沟槽深度为芯片厚度的1/6-1/4。

本发明的有益效果是：本发明方法通过在背镀金属之前将芯片用激光划出沟槽，能够方便校准芯片，从而保证了芯片上沟槽的精确度，保证了裂片质量，且划片后对芯片背镀金属，能够有效增加背镀金属的有效性，增加了芯片的发光亮度。

具体实施方式

以下对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。

一种需要背镀金属的LED芯片的分裂方法，其方法步骤为：

（1）             将减薄完后未背镀金属的LED芯片，电极一面朝上放置在贴膜机上，用不干胶膜贴至铁环上；

（2）             将防划保护铝片放置在贴完后的芯片上，使芯片位于防划保护铝片的正中央；

（3）             将放置防划保护铝片的芯片连同铁环，放置划片机的工作平台上；

（4）             打开划片机，将芯片的背面沿着芯片电极的切割道划出一道道沟槽；

（5）             取出划完后的芯片，将芯片上的不干胶膜撕下；

（6）             将芯片传至蒸镀机上，对芯片进行蒸镀背镀金属；

（7）             将背镀完后的芯片，背面朝上，贴到铁环上；

（8）             将贴完膜的芯片放置裂片机上，对其裂片。

所述划片后的沟槽深度为芯片厚度的1/6-1/4

以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。