[发明专利]带恒流控制的高压电平位移驱动电路无效
| 申请号： | 201210532037.X | 申请日： | 2012-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN103023483A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 李锐;顾鹏程;曾蕴浩;陆晓敏 | 申请（专利权）人： | 上海岭芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐洁晶;陈亮 |
| 地址： | 200233 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 带恒流 控制 高压 电平 位移 驱动 电路 | ||
1.一种带恒流控制的高压电平位移驱动电路(500)，包括：
高压LDMOS管(T)，其栅极与一高压半桥驱动电路的电源电压(VCC)相连接；
恒流控制驱动电路(501)，分别与电源地(GND)、一偏置电压、一上侧输入信号(IN)和所述高压LDMOS管(T)的源极相连接，用于当所述高压半桥驱动电路的上侧功率MOS管的高压电源(VH)处于规格允许的电压范围之内时，所述高压LDMOS管(T)导通后的导通电流是受控恒定的；
负载电阻(RL)，其一端与所述高压LDMOS管(T)的漏极相连接，另一端与所述高压半桥驱动电路中的上侧驱动电路的浮动电源电压(VB)相连接；
驱动器(502)，分别与所述高压LDMOS管(T)的漏极、所述上侧驱动电路的浮动电源电压(VB)、一浮动地(VS)和所述高压半桥驱动电路的上侧输出端(HO)相连接；以及
箝位二极管(Z)，跨接在所述负载电阻(RL)的两端。
2.根据权利要求1所述的高压电平位移驱动电路(500)，其特征在于，所述高压LDMOS管(T)和所述负载电阻(RL)构成第一级倒相器。
3.根据权利要求2所述的高压电平位移驱动电路(500)，其特征在于，所述倒相器驱动级的总的级数为奇数级。
4.根据权利要求1所述的高压电平位移驱动电路(500)，其特征在于，所述上侧输入信号(IN)为单脉冲驱动信号。
5.根据权利要求1所述的高压电平位移驱动电路(500)，其特征在于：
当所述上侧驱动电路的浮动电源电压(VB)为所述高压半桥驱动电路的电源电压(VCC)时，所述高压LDMOS管(T)导通；
而当所述上侧驱动电路的浮动电源电压(VB)浮动到所述上侧功率MOS管的高压电源(VH)加上所述高压半桥驱动电路的电源电压(VCC)时，所述高压LDMOS管(T)截止。
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