[发明专利]一种浅结太阳能电池的制备工艺

权利要求书

1.一种浅结太阳能电池的制备工艺，其特征是，包括以下步骤：

a、将硅片清洗，去损伤层，制绒；

b、在硅片表面喷涂磷酸；

c、将硅片放入链式扩散炉中，进行扩散；

d、将扩散后的硅片去除磷硅玻璃并刻蚀掉表面死层；

e、在发射极表面沉积氮化硅钝化减反射层；

f、丝网印刷背电极和正面电极或者电镀正面电极；

g、烧结并测试分选。

2.根据权利要求1所述的浅结太阳能电池的制备工艺，其特征是，所述步骤b中喷涂磷酸的浓度为0.5%-15%，厚度为2-10μm。

3.根据权利要求1所述的浅结太阳能电池的制备工艺，其特征是，所述步骤c中扩散温度为800-900℃，时间为30-60min，扩散后的方块电阻为20-70Ω/口。

4.根据权利要求1所述的浅结太阳能电池的制备工艺，其特征是，所述步骤d中刻蚀后方块电阻为50-100Ω/口，结深为0.10-0.25μm，磷原子的表面浓度为1.0×1020cm^-3至4.0×1020 cm^-3。