[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201210532267.6 | 申请日: | 2012-12-11 |
公开(公告)号: | CN103383952B | 公开(公告)日: | 2018-05-01 |
发明(设计)人: | 柳春基;崔埈厚;朴钟贤;朴景薰;金正桓;许成权 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司11018 | 代理人: | 康泉,罗正云 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光显示装置,包括:
基板;
位于所述基板上的缓冲膜,所述缓冲膜包括通孔;
位于所述缓冲膜上的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极以及漏电极;
电连接至所述源电极和所述漏电极中之一并且与所述通孔对应的第一电极;
位于所述第一电极上的中间层,所述中间层包括有机发射层;
位于所述中间层上的第二电极;以及
使所述栅电极和所述有源层彼此绝缘并且填充所述通孔的栅极绝缘膜,其中所述第一电极位于所述栅极绝缘膜上,
其中所述第一电极和所述中间层与所述通孔间隔开。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述通孔大于所述第一电极。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述第一电极包含氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌、氧化铟、氧化铟镓或氧化锌铝。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述第一电极位于所述栅电极被设置在的层上,并且包含选自于形成所述栅电极的材料中的至少一种材料。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中:
所述栅电极包括第一导电层和第二导电层,所述第二导电层位于所述第一导电层上,并且
所述第一电极位于所述第一导电层被设置在的层上,所述第一电极包括与所述第一导电层相同的材料。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述中间层与所述薄膜晶体管间隔开,以与所述薄膜晶体管成非重叠关系。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,进一步包括电容器,所述电容器包括第一电容器电极和第二电容器电极,所述第一电容器电极位于所述有源层被设置在的层上,所述第二电容器电极位于所述栅电极被设置在的层上。
8.一种制造有机发光显示装置的方法,该方法包括:
在基板上形成缓冲膜以包括通孔;
在所述缓冲膜上形成薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极以及漏电极;
在栅极绝缘膜上形成被电连接至所述源电极和所述漏电极中之一并且与所述通孔对应的第一电极,其中所述栅极绝缘膜位于所述栅电极和所述有源层之间并且形成为填充所述通孔;
在所述第一电极上形成中间层,所述中间层包括有机发射层;以及
在所述中间层上形成第二电极,
其中所述第一电极和所述中间层与所述通孔间隔开。
9.根据权利要求8所述的制造有机发光显示装置的方法,其中根据利用网板掩模的图案化工艺形成所述缓冲膜和所述有源层。
10.根据权利要求8所述的制造有机发光显示装置的方法,其中形成所述缓冲膜包括:
在所述基板上形成缓冲膜材料层;
在所述缓冲膜材料层上形成所述有源层;
形成蚀刻掩模,以覆盖所述有源层并且不覆盖其中形成所述通孔的区域;以及
通过利用所述蚀刻掩模进行蚀刻工艺形成所述通孔。
11.根据权利要求10所述的制造有机发光显示装置的方法,进一步包括在进行所述蚀刻工艺之后进行灰化工艺,所述灰化工艺是在去除所述蚀刻掩模之前进行的。
12.根据权利要求8所述的制造有机发光显示装置的方法,其中形成所述有源层至少包括结晶工艺。
13.根据权利要求8所述的制造有机发光显示装置的方法,其中所述通孔大于所述第一电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的