[发明专利]四氧化三铁与钛酸铋掺镧复合磁电薄膜的制备方法有效
申请号: | 201210532448.9 | 申请日: | 2012-12-11 |
公开(公告)号: | CN102976746A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
发明(设计)人: | 吴秀梅;翟亚;孙弘扬;欧慧灵 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | C04B35/462 | 分类号: | C04B35/462;C04B35/622 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 211189 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氧化 钛酸铋掺镧 复合 磁电 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种四氧化三铁与钛酸铋掺镧复合磁电薄膜的制备方法,其特征在于该方法包括以下步骤:
步骤1:Bi3.25La0.75Ti3O12(BLT)靶材的制备
a).配料:反应物原料是Bi2O3,La2O3,TiO2;三种原材料按(13.5-14.5):3:24的摩尔比混合,
b).将混合的反应物原料放入玛瑙罐中加入丙酮放入球磨罐中,加入玛瑙球,密封固定于球磨机上,球磨时间在15h以上,研磨时间越长,BLT粉末越细,效果越好;
c).用粉末压片机将研磨好的反应物原料压片成形,直径10-20mm;
d).预烧:将压片成形的块体放到箱式炉中,升温至750-850℃,保温4-6h,然后再快速升温至850-950℃,保温3-5h,自然冷却降至室温,使之初步成相;
e).烧结:再将经过步骤d)处理的靶材在1000-1100℃,保温1.5-2.5h,再缓慢降至室温;
步骤2:Fe2O3靶材的制备
将晶胞结构为α的Fe2O3粉末研磨,再用粉末压片机压片,压成直径为10-20mm,然后烧结而成,烧结温度为800-1000℃,保温16-24h;
步骤3:制备Fe3O4/BLT磁电复合薄膜材料
采用脉冲激光溅射沉积系统在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出Fe3O4/BLT多铁性磁电复合薄膜。
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